诚芯微取得“一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法”专利,提高...

专利摘要显示,本申请涉及一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法,垂直应变双极结型晶体管包括发射区、集电区和基区,所述发射区包括衬底和凸出于衬底表面的凸台,所述凸台的表面设有所述基区,所述基区环绕式包裹所述集电区,氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁,本申请利用氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区...

基础知识之晶体管

基极(P型半导体)在结构上很薄,从发射极流入基极的大部分电子会扩散到集电极。电子(负电荷)被集电极-发射极间电压(VCE)吸引并向集电极的电极方向移动。这就是集电极电流IC。<电流方向与电子移动方向相反>晶体管工作示意图(NPN型)NPN和PNP晶体管晶体管大致可以分为“NPN”和“PNP”两种类型。从右图中也...

半导体芯片,到底是如何工作的?

一方面,电子管容易破损,故障率高;另一方面,电子管需要加热使用,很多能量都浪费在发热上,也带来了极高的功耗。所以,人们开始思考——是否有更好的方式,可以实现电路的检波、整流和信号放大呢?方法当然是有的。这个时候,一种伟大的材料就要登场了,它就是——半导体。半导体的萌芽我们将时间继续往前拨,回到更早...

“非必要不蹭小米”

其实上一个蹭小米,获得了流量,付出了道歉的事儿,还没过去很长时间。4月份智己L6发布的时候,就把小米SU7列为了对标对象,在智己L6超强性能版对比小米SU7Max三电参数PPT中,智己把小米SU7Max的双电机描述成了「前IGBT(绝缘栅双极型晶体管),后SiC(碳化硅)」,而自己的却是双SiC。IGBT...

新洁能2023年年度董事会经营评述

1、电基集成公司的全资子公司电基集成,致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品。一直以来电基集成特别注重车规级封测产线的建设与管理,并在2023年顺利通过SGSIATF16949体系换证审核。2023年,电基集成全面提升组织的ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全管理体系和IECQQC...

让“机器脑”类人脑,关键何在?

????为了模拟神经树突,清华大学类脑计算研究中心团队采用了一种新型的晶体管结构,即基于pn异质结半导体沟道的晶体管,取代了传统的均质或同质半导体沟道,利用这种特殊晶体管结构中非同寻常的“反双极性”的转移特性,模拟了钙离子(Ca2+)介导的非单调激活和树突放电,进一步丰富了晶体管的神经形态功能(www.e993.com)2024年11月4日。

明哥仔细研究比亚迪IGBT电路板 发现了快充的一些核心秘密

开会前我特意在IGBT展示区看了半天,因为新能源汽车的成本构成中,动力电池占比最大,第二大的就是IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)。占整车成本约5%左右的IGBT,它最重要的点在于能直接控制驱动系统直、交流电的转换,还控制着电动车的扭矩和最大输出功率等重要核心功能,但对我来讲看着...

半导体专题篇十五:功率半导体

(2)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)IGBT是一种介于MOSFET和普通双极型晶体管之间的功率半导体器件。它结合了双极型晶体管的高电压能力和MOSFET的低导通压降特性,具有导通压降低、开关速度快、饱和压降小等优点。IGBT在工业驱动、交流电机控制、电力变换等领域有着广泛的应用。

mos管和双极型晶体管的区别

mos管和双极型晶体管的区别MOS管和双极型晶体管(BJT)是常见的两种晶体管器件,它们在工作原理、结构以及性能上存在明显差异,本文将对其进行比较分析。如果您对即将涉及的内容感兴趣,那么请继续阅读下文吧,希望能对您有所帮助。结构BJT有三个区域:发射区(Emitter)、基区(Base)和集电区(Collector)。发射区和集...

【专利解密】威兆半导体提出绝缘栅双极型晶体管及其制备方案

为保持电中性,漂移区中会相应形成相应数量的电子(多子),即增强了器件的电导调制效应,从而可以减小绝缘栅双极型晶体管的导通压降,同时关断损耗几乎没什么变化,可使导通压降和关断损耗有一个更好的折衷。如上图,为第二载流子阻挡层与第一载流子阻挡层形成的阻挡结构示意图,随着第一载流子阻挡层个数的不同、长度的不...