二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解
三极管原理:在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电...
晶体管发展历程回顾
由于米勒电容,晶体管的开关速度会降低。栅极掩模未对准的一种解决方案是所谓的“自对准栅极工艺”。该过程从创建栅极区域开始,然后使用离子注入创建漏极和源极区域。栅极下方的薄栅极氧化物用作掺杂工艺的掩模,可防止在栅极区域(沟道)下方进一步掺杂。因此,此过程使栅极相对于源极和漏极自对准。结果,源极和漏极不...
晶体管的发展史:技术如何逼近极限?
由于米勒电容,晶体管的开关速度会降低。栅极掩模未对准的一种解决方案是所谓的“自对准栅极工艺”。该过程从创建栅极区域开始,然后使用离子注入创建漏极和源极区域。栅极下方的薄栅极氧化物用作掺杂工艺的掩模,可防止在栅极区域(沟道)下方进一步掺杂。因此,此过程使栅极相对于源极和漏极自对准。结果,源极和漏极不...
双极性晶体管基础知识解析
在NPN型晶体管里,基区为P型掺杂,这里空穴为多数掺杂物质,因此在这区域电子被称为“少数载流子”。从发射极被注入到基极区域的电子,一方面与这里的多数载流子空穴发生复合,另一方面,由于基极区域掺杂程度低、物理尺寸薄,并且集电结处于反向偏置状态,大部分电子将通过漂移运动抵达集电极区域,形成集电极电流。为了尽量缓解...
SiC行业深度报告:SiC全产业链拆解,新能源行业下一代浪潮之基(上)
2)器件得以小型化:SiC禁带宽度决定了它能够以更高的掺杂浓度、更薄的膜厚漂移层制作出600V以上的高压功率器件(对于相同耐压的产品、同样的导通电阻,芯片尺寸更小);SiC饱和电子漂移速率高,所以SiC器件能实现更高的工作频率和更高的功率密度,因频率的提升减少了电感、变压器等外围组件体积,从而降低了组成...
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
问题4:在第2步讲解为什么Ic会受Ib控制,并且Ic与Ib之间为什么会存在着一个固定的比例关系时,不能形象加以说明(www.e993.com)2024年7月7日。只是从工艺上强调基区的薄与掺杂度低,不能从根本上说明电流放大倍数为什么会保持不变。问题5:割裂二极管与三极管在原理上的自然联系,不能实现内容上的自然过渡。甚至使人产生矛盾观念,二极管原理强调PN结...
高压SiC MOSFET研究现状与展望
TMOS电压等级受限于栅氧角落处的尖峰电场问题,而如果采用SJ结构,漂移区N型掺杂浓度的提高可以有效降低RON,sp,同时P柱可以有效保护栅氧底部,如张跃等人设计了一种由上下掺杂浓度不同的P柱形成的SiCSJ-TMOS功率器件,仿真结果表明在击穿电压1kV下可得到0.88mΩ·cm2的比导通电阻。SJ...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
上图中,发射结正偏,空穴大量进入基区,他们在基区身份仍然是少数载流子的身份,此时,如前所述,这些注入的少数载流子很容易通过反偏的PN结——集电结,到达集电极,形成集电极电流Ic。三极管放大导通条件是《发射结正偏,集电结反偏》就非常容易理解了,上一张三极管的特性曲线。
芯人必读丨破译圈内暗语!收好这份半导体词典
双极结型晶体管又称为半导体三极管,它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件,有PNP和NPN两种组合结构。BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)硼磷硅玻璃BPSG:为硼磷硅玻璃,含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow温度,并且P吸附一些杂质离子,流动性比较好,作为ILD的平坦化介质。
汽车级大功率IGBT现状及未来发展趋势研究 | 厚势汽车
例如可以通过芯片金属化的方法把NPN晶体管的基极与发射极短路来解决闭锁问题,这种技术可以保证晶体管的基极和发射极的电压为0,确保晶体管不会导通。这种设计可以通过局部提升P区的掺杂浓度或者选用更窄的N+区来改进,前者可以通过降低欧姆电阻阻值来降低晶体管基极和发射极的电压。