“网红”碳基半导体进展如何?是否像预期的一样完美?盘点2020-2024...
在常规集成电路应用方面,目前碳管电路可能还无法和硅基电路竞争,所以碳基半导体也许更需要差异化发展,未来有望在传感、柔性系统等新领域寻找到出路。另外,作为另一宽禁带典型代表,金刚石,自身作为半导体材料,目前仍处于基础研究尚待突破阶段,在材料、器件等方面都有大量科学问题尚需攻克,例如金刚石材料的高成本和小尺...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
基区的非常薄和非常轻掺杂的特性是三极管工作的关键。这个非常薄的基区的创意想法就来自于三位老前辈76年前发明的点接触式三极管:在此之前,半导体二极管已经存在了,电子三极管已经存在了,人们想制作半导体三极管的想法也已经很久了,但是没人想到,问题的关键在这个薄上。我们复习一下二极管耗尽区。二极管耗尽区...
芯片,到底是如何工作的?-虎嗅网
因为贝尔实验室不具备硅晶体的切割能力,奥尔将这块熔合体送到珠宝店,切割成不同大小的晶体样品。没想到,其中一块样品,在光照后,一端表现为正极(positive),另一端表现为负极(negative),奥尔将其分别命名为P区和N区。就这样,奥尔发明了世界上第一个半导体PN结(P–NJunction)。二战期间,AT&T旗下的西方电气公司...
半导体芯片,到底是如何工作的?
因为贝尔实验室不具备硅晶体的切割能力,奥尔将这块熔合体送到珠宝店,切割成不同大小的晶体样品。没想到,其中一块样品,在光照后,一端表现为正极(positive),另一端表现为负极(negative),奥尔将其分别命名为P区和N区。就这样,奥尔发明了世界上第一个半导体PN结(P–NJunction)。二战期间,AT&T旗下的西方电气公司...
中金:玻璃基板新材料,孕育TGV设备需求
相较TSV,TGV核心变化包括:(1)原材料易获取。玻璃基板使用的是硼硅酸盐或熔融石英,原材料较有机硅更易获取;(2)工艺流程简化制作成本低。TGV不需要光刻和蚀刻工艺沉积绝缘层和二次减薄,用激光或机械方式可直接实现通孔,制作成本大约只有硅基中介层的1/8;(3)使用激光诱导刻蚀有望带来激光设备和孔内电镀填充需求...
技术前沿:医学平板显示技术——数字平板探测器
无论何种技术,都希望电子迁移率越快越好(www.e993.com)2024年8月15日。因此,电子迁移率高,单个晶体管就可以做得更小,使显示像素更小,图像空间分辨率更高。举个形象的栗子,如果希望在规定时间内运输足够多的煤炭到另一个城市,如果火车速度慢,就得多轨道多火车同时运输,显然这样非常占地方(空间分辨率低);如果车速足够快,单节小火车也能...
半导体专题篇十五:功率半导体
(2)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)IGBT是一种介于MOSFET和普通双极型晶体管之间的功率半导体器件。它结合了双极型晶体管的高电压能力和MOSFET的低导通压降特性,具有导通压降低、开关速度快、饱和压降小等优点。IGBT在工业驱动、交流电机控制、电力变换等领域有着广泛的应用。
85后科学家制造出世界上最薄的鳍式晶体管,突破半导体工艺
制备出世界上最薄的鳍式晶体之后,韩拯与合作者湖南大学刘松教授、金属研究所孙东明教授等人,首次提出了利用二维原子晶体替代硅基场效应晶体管FinFET的fin的沟道材料,通过模板生长结合多步刻蚀的方法,制备出了目前世界上沟道宽度最小的(0.6nm)鳍式场效应晶体管(FinFET),也是目前世界上最薄的鳍式晶体管。
向碳基芯片更进一步:台积电斯坦福联手开发碳纳米管晶体管新工艺
最早,这一绝缘层由二氧化硅构成。但随着硅晶体管尺寸的不断缩小,绝缘层也不得不变得越来越薄,以便用更少的电压来控制电流,降低能耗。这时候,二氧化硅就不再适用了:绝缘层太薄,那么由于量子力学的隧穿效应,实际上任何电荷都能穿透它,造成能量浪费。于是,半导体领域的研究人员搬出了一种具有较高介电常数(即...
向碳基芯片更进一步:台积电、斯坦福等联手开发碳纳米管晶体管新...
最早,这一绝缘层由二氧化硅构成。但随着硅晶体管尺寸的不断缩小,绝缘层也不得不变得越来越薄,以便用更少的电压来控制电流,降低能耗。这时候,二氧化硅就不再适用了:绝缘层太薄,那么由于量子力学的隧穿效应,实际上任何电荷都能穿透它,造成能量浪费。于是,半导体领域的研究人员搬出了一种具有较高介电常数(即高k)...