0-V24电压转电流4-20mA模块电路设计原理解析
下面我们解析一款0-2.5V3.3V5V10V15V24转4-20mA电流变送器的电路设计原理。这是由运放与三极管组成的压控恒流源,其原理是通过负反馈控制运放输出电压控制NPN型三极管基极到发射极的电流大小,进而控制三极管输出电流的大小,三极管工作与放大状态,运放及外围电阻组成了同相放大器,放大倍数为1+(R11/R8)=2,VCC作为三极...
你了解三极管吗?|基极|元件|集电极_网易订阅
当基极到发射极间的电压超过一定阈值(通常为0.7V左右),基极与发射极之间的PN结正向偏置,电子从发射极注入基极,基极到集电极间的PN结反向偏置。电子会穿过基极并到达集电极,形成集电极电流。基极电流与集电极电流之间有固定的比例关系,即电流放大倍数。2、三极管的种类根据材料、结构和工作模式的不同,三极管可分为多种...
什么是共射放大器?手把手教你设计共射放大器
例如,通过改变基极电流来控制集电极-发射极电流。在一般的电压放大场合,这种放大效果来自于使用电阻将电流转换为电压。在小信号模型中,基极电流的来源是输入电压与基极-发射极动态电阻(Rbe)的比值,通常为kΩ,所以基极电流很小,可能只有零点几毫安。通过晶体管的放大,在集电极和发射极之间产生β倍的基极电流。这篇...
集电极开路什么意思?集电极开路电路工作原理讲解
因此,对于直流电流增益为50的NPN晶体管,需要2.4mA的基极电流,忽略约0.2伏的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。回想一下,晶体管的直流电流增益是指产生集电极电流需要多少基极电流。当晶体管完全导通时,基极-发射极结(VBE)两端的压降将为0.7伏。因此,所需的基极电阻RB的值计算如下:...
吃透MOS管,看这篇就够了
氧化物层的两边就形成了一个电容,VGS等效是对这个电容充电,并形成一个电场,随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道,当VGS大于管子的开启电压VT(一般约为2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID,我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称...
共集电极电路分析:图文+实际案例计算
除了基极-发射极结上的近似二极管压降外,输出电压几乎等于输入电压(www.e993.com)2024年10月26日。这意味着放大器的电压增益几乎为1,即0.7VdB电压增益图下图为上面电路Uin和Uout的关系图,其中:Uin和Uout的关系图Uout与基本共集电极BJT放大器的比较Uin共集电极放大器在下面的电路中进行了仿真:...
硅光电三极管-IC电子元器件|速度|基极|发射极|光信号_网易订阅
硅光电三极管的工作原理是基于PN结的光电转换原理。当光照射到光敏电极时,光子能量会使光敏电极中的电子从价带跃迁到导带,同时产生空穴。这些电子和空穴即是光敏电极中的载流子。在正向偏置的情况下,光敏电极中的电子会被推向基极区域,而空穴会被推向发射极区域。由于基极和发射极之间存在电压,电子会在基极区域与发射极...
双极性结型晶体管的开关损耗
SPICE模拟提供了另一种更准确的估计传导损耗的方法。例如,考虑图2中的LTspice电路。该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号控制,并将电流切换到50Ω负载。一种LTspice双极结晶体管电路。图2:在LTspice中建模的图3显示了运行模拟时产生的基极-发射极和集电极-发射极电压。
临近交货,贴片电容几率性炸开,问题到底出在哪?
三极管导通时基极与发射极电压差(Vbe)约为0.7V。后面就比较简单了,从已知条件出发,推导出未知量即可。1、从12V出发,每经过1个LED电压降低2.1V,可以确定以下3个电路节点的电压分别为9.9V、7.8V、5.7V:2、从地GND出发,每经过一个三极管的发射极和基极,电压上升0.7V:...
通俗易懂的讲解晶体管(BJT和MOSFET)
发射极(E)如果你打开它,电流可以通过它从集电极到发射极。当它关闭时,没有电流流过。如下示例电路中,晶体管是关着的。这意味着没有电流可以通过它,所以发光二极管也被关闭了。要打开晶体管,基极和发射极之间的电压约为0.7V。如果你有一个0.7V的电池,你可以把它连接到基极和发射极之间,晶体管就会打开。