模电与数电:从同一器件的不同应用看设计本质

然而,当三极管工作在截止区和饱和区时,就转变成了数字电路中的开关。截止和饱和两个极端状态分别对应着“0”和“1”逻辑值,使三极管成为逻辑门和触发器的核心单元。这种开关功能在高速电路中广泛应用,是实现逻辑控制、时序管理等数字功能的基本手段。我们把一个放大电路的放大量提高,输入是正弦波,输出原来也是个正弦波。

开关功率晶体管的选择和正确操作

当晶体管从OFF切换到ON或从ON切换到OFF时,晶体管将跨越其线性区域。由于MOSFET和JFET的跨导非常高,漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此,驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载,这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此,除非驱动器可以提供几安培的电流,否则开关速度将大大减慢。如此强大的输出级需要...

还不会设计晶体管施密特触发器?不要错过

T2通过R1和RA汲取基极电流,因此T2处于开启状态(并且根据设计,T2是饱和的-集电极-发射极电压Vce接近于零),因此Vo位于由下式形成的分压器的中点R2&RE,介于+V和地之间。双晶体管施密特触发器现在假设Vi开始增加,T1的发射极电压由流入T2的电流保持固定,因此当Vi达到高于该值...

双极性结型晶体管的开关损耗

当BJT处于饱和(这是开关应用的首选模式)时,VCE约为200mV。我们可以通过假设这些固定值,然后通过标准电路分析技术确定基极和集电极电流,来获得导通损耗的粗略估计。用LTspice估算传导损耗SPICE模拟提供了另一种更准确的估计传导损耗的方法。例如,考虑图2中的LTspice电路。该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号...

集成MOS沟道二极管的新型垂直GaN场效应晶体管反导特性和单事件...

本文提出了一种新型的集成MOS沟道二极管的垂直GaN型场效应晶体管。对于反向导通,MCD在2g通道之前导通,降低了VRT,VRT也独立于VGS;在正向导通和阻塞状态下,MCD被掐断,而不会降低导通状态和阻塞性能。同时,PBL有助于调制电场分布,从而改善BV和SEE性能。所提出的MCD-FET显示出在功率开关系统和SEE硬化器件应用中降低反向...

基础知识之晶体管

作为开关使用的晶体管下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管(www.e993.com)2024年11月5日。当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。

电子技术知识判断题精选|三极管|二极管|晶体管|放大器|集电极...

12、三极管的穿透电流ICEO越小越好。13、晶体三极管在饱和状态时,Ib增大,Ic几乎不变。14、当三极管的发射结和集电结都处于正向偏置时,三极管截止、相当于开关断开。×当三极管的发射结和集电结都处于反向偏置时,三极管截止,相当于开关断开。15、晶体三极管的输入特性是指当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保...

全球芯片正在破局……

复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种新型半导体性光刻胶，利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连，在聚合物半导体芯片的集成度上实现新突破，集成度达到特大规模集成度水平。据团队介绍，芯片集成度可以分为小规模集成度(SSI)、中规模集成度(MSI)...

一文搞懂IGBT

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...

半导体专题篇十五:功率半导体

IGBT是一种介于MOSFET和普通双极型晶体管之间的功率半导体器件。它结合了双极型晶体管的高电压能力和MOSFET的低导通压降特性,具有导通压降低、开关速度快、饱和压降小等优点。IGBT在工业驱动、交流电机控制、电力变换等领域有着广泛的应用。(3)整流二极管