今天中国半导体学术进展真不少!纳芯微并购麦歌恩分析解读;国产...
碳纳米管(CNT)具有优异的电学性能、准一维晶格结构、高载流子迁移率等特点,是构建新型CMOS晶体管和集成电路的理想半导体沟道材料之一。与传统硅基半导体材料不同,碳纳米管由C-Csp2共价键组成,化学稳定性强,难以实现可控稳定掺杂,极大限制碳基器件电学调控自由度。近期,北京大学电子学院碳基电子学研究中心、纳米器件...
Nano Lett.: 二维半导体异质结莫尔激子重构和杂化特性的研究
由于MoTe2与MoSe2具有高达7%的晶格失配,使得MoTe2/MoSe2半导体异质结免受于原子重构的影响,从而形成接近理想的R-type和H-type型莫尔超晶格。由于该异质结的导带台阶仅为38meV,实验上观测到MoTe2/MoSe2半导体异质结中形成了MoTe2层内激子(X)与层间激子(IX)的莫尔激子共振杂化效应。通过制备不同转角MoTe2/MoSe2异...
孙其君研究员团队AFM:基于范德华异质结的摩擦电垂直场效应晶体管
该VFET可以同时实现950Acm-2高开态电流密度和630的高电流开关比,这对于制造具有优异电学特性的摩擦电子VFET至关重要。通过利用石墨烯/MoS2的垂直范德华异质结构,它还表现出明显的可重构二极管行为,整流比超过102。图2垂直晶体管和摩擦电子垂直晶体管室温下的电学特性。(a)垂直晶体管的输出特性J-VD。
被产业界看好的钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池
所谓同质结是指由同一种半导体材料且禁带宽度相同但导电类型不同的材料所形成的pn结,用同质结构成的太阳电池称为同质结太阳电池;异质结是指由两种禁带宽度不同的半导体材料形成的结,用异质结构成的太阳电池称为异质结太阳电池。太阳电池按核心材料形态可以分为晶硅太阳电池和薄膜太阳电池。当前规模量产的晶硅太阳电...
《AFM》天工大康卫民团队:异质结促进锂盐在聚合物固体电解质中的...
如图4,通过实验测试验证了BIT-BOBHNFs/PEO/LiTFSI复合电解质的特性,改性的电解质具有明显改善的性能。首先,BIT-BOBHNFs陶瓷填料的加入对PEO基电解质力学性能、结晶度、热稳定性能具有积极影响。同时,异质结纳米陶瓷填料的加入显著提升了电解质离子电导率、锂离子迁移数和电化学窗口等电化学性能。复合固体电解质的...
冯新亮/马骥团队Angew:链增长聚合助力石墨烯纳米带异质结的精准...
石墨烯纳米带(GrapheneNanoribbons,GNRs)具有带隙精确可调的特性,以及在光学、电学、磁学方面表现出的优异性质,使其在晶体管、量子器件等应用中具有广阔前景(www.e993.com)2024年7月30日。其中,石墨烯纳米带异质结(GNRHeterojunctions)通过将不同拓扑结构的GNRs相结合,从而可以实现对其带隙和局部性质的进一步调控。此外,石墨烯纳米带异质结...
原子力显微镜助力光伏新时代
2.1体异质结(BHJ)形貌成像有机太阳能电池通常使用体异质结(BHJ)光吸收剂,这是一种自组装的纳米网络结构,由给体和受体材料组成。其转化效率强烈依赖于网络的特定相分离和连通性,不幸的是,现阶段预测给定合成路线所生成的结构,都仍然具有挑战性。更不用说,探究形态是如何通过各种老化机制发生改变的难题。因此,表征...
十大变革科技 | 第四代半导体材料:新一轮科技竞赛
为了改善氧化镓器件的散热性能以提升其可靠性,一种可行的解决方案是采用异质集成技术来制备β-Ga2O3薄膜与SiC等高导热衬底的异质结,从而显著降低氧化镓器件热阻。主流的异质集成技术有两种,分别为异质外延生长与低温键合。04第四代半导体领域的“卡脖子”问题...
Ge组分对SiGe HBT主要电学特性的影响
本文对SiGe技术和Si/Si1-xGex异质结特性进行了分析,研究了对基区Ge组分进行优化设计的方向,对器件主要直流特性参数电流增益等进行了推算,获知Ge的组分对β的影响呈指数关系。根据这一关系,在保证Si1-xGex薄膜稳定性的前提下,可以适当减小集电结处的Ge组分以增大该处的带隙宽度,提高电流增益。而减小集电结处的Ge...
物理所等转角二硫化钼石墨烯异质结的垂直电导研究获进展
近年来,二维材料以其优异的电学、光学以及力学性质被广泛关注和研究。得益于二维材料层状结构及弱层间范德华相互作用,不同的二维材料可以像乐高积木一样相互组合形成各种二维材料异质结。正如乐高积木有无穷种搭建方式,二维材料也可以组合出具有不同性能的二维材料异质结,这为器件应用和诸多基础物理现象研究提供了一个绝...