新一代1700V IGBT7技术及其在电力电子系统中的应用优势
2022年11月18日 - 电子产品世界
因为FF750R17ME7D的二极管电流为1200A,所以它比FF900R17ME7的压降更低。当基于器件各自的标称电流时,FF750R17ME7D的正向压降为1.8V,比FF600R17ME4低0.15V,大约7.7%。FF900R17ME7为2.2V,比FF600R17ME4高0.25V,大约12.8%。当电流大约超过300A时,FF600R17ME4二极管的压降是正温度系数,而FF750R17ME7D和FF900...
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高压变频器配件与高压变频器备品备件常用元器件
2018年8月21日 - 网易
20IGBTBSM150GB170DLC个21IGBTFF200R17KE3个22IGBTFF300R17KE3个23IGBTFF450R17ME3个24IGBTFF650R17IE4个25熔断器RS96R个26熔断器RGS4B个27熔断器RS97D个28熔断器RS77B个29熔断器RS77C个30整流模块MDC60-20个31整流模块MDC80-20个3...
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变流器的核心器件MOSFET和IGBT
2010年11月20日 - 电子产品世界
正温度系数饱和压降的IGBT是可以并联使用的,并且能够达到很好的均流效果。例如,INFINEON的FF450R17ME3,下图是其饱和压降的温度特性,当集电极电流大于100A时,饱和压降有良好的正温度系数。本人使用两个模块并联,输出总电流400A交流有效值,实测并联模块电流的不均匀度小于5%...
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