重新认识FinFET|多晶硅|半导体|CMOS_新浪新闻

FinFET——一种场效应晶体管(FET)——可以被设想为传统的平面CMOS晶体管,其侧面翻转,以便栅极多晶硅可以在两个表面上与源极和漏极连接。发生晶体管动作的垂直结构称为“鳍”(Fin),由掺杂硅制成。鳍片可以构建在体硅上,在这种情况下,它们必须以与平面CMOS中大致相同的方式进行隔离。它们也可以位于绝缘层顶...

栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南

2.5VS引脚电压下冲的影响如果欠冲超过数据手册中规定的绝对最大额定值，则栅极驱动IC将损坏，或者高端输出暂时无法对输入转换做出响应，如图7和图8所示。图7显示闭锁情况，即高端输出无法通过输入信号改变。这种情况下，半桥拓扑的外部、主电源、高端和低端开关中发生短路。图8显示遗漏情况，即高端输出无法...

搞定光耦名称:简单易记的光耦关键词手册

1.TLP指的是光耦。2.第一个数字表示包装类型,如下所示。3.输出样式这个部分表示输出样式。00～09:IC输出,光继电器10～19:IC输出20～29:4/8/16引脚多通道光耦30～39:6引脚40～49:晶闸管输出,光继电器50～59:IC输出60～69:可控硅输出70～79:光继电器80～89:晶体管输出/达林顿晶体管...

降额设计之晶体管和IGBT篇

在这种情况下,Vds(MOSFET,SMART)或Vce(IGBT)的降额系数不适用。当在器件数据手册中给出时,Ecl是结温达到规定的初始值(Tjnom或Tjmax)时器件可以处理的单脉冲钳位能量。它也被称为单脉冲雪崩能量。它对应于漏源齐纳二极管吸收关断时负载电感中存储的能量*L*I的能力。说明了特定的开关电流或线圈电阻,电感值...

双极性晶体管基础知识解析

当集电极电流增大到一定数值后,虽然不会造成双极性晶体管的损坏,但是电流增益会明显降低。为了使晶体管按照设计正常工作,需要限制集电极电流的数值。除此之外,由于双极性晶体管具有两个PN结,因此它们的反向偏置电压不能够过大,防止PN结反向击穿。双极性晶体管的数据手册都会详细地列出这些参数。

如何避免MOSFET常见问题和失效模式

a、MOS栅极晶体管应放置在其防静电运输袋或导电泡沫中,或者应放置在金属容器或导电箱中,直到需要进行测试或连接到电路中时才能取出(www.e993.com)2024年11月4日。操作器件的人员应佩戴良好接地的防静电腕带,尽管这种额外的预防措施很少是必要的。b、应握持器件的封装,而非引线。在曲线测量仪或测试电路中测试MOS栅极晶体管的电气特性时,应注...

中美“围剿”英伟达,万亿 AI 芯片市场难独霸|钛媒体深度

随后6月,AMD还公布全新专为生成式AI打造、拥有1530亿个晶体管的AI加速芯片InstinctMI300X、InstinctMI300A等产品,在存储容量、互联带宽方面均有提升,MI300X的晶体管数量比H100多两倍,HBM3高带宽内存是H100的2.4倍。单颗芯片上可以运行800亿参数的大模型,预计今年底之前发货。

万用表测量稳压二极管

1.万用表档位调至R*1K或R*10K2.正反向分别测量3.测得两次阻值，阻值较小的一次为正向接法。（即黑表笔为正极、红表笔为负极）稳压值判断：1.观察读数：在二极管外有标识的可以直接读取数值，比如7V5，标识稳压值为7.5V。稳压二极管有型号的也可以查找晶体管参数手册。2.指针万用表测量法：稳压值在15V...

南宁师范大学2023年硕士研究生招生考试自命题考试大纲

南宁师范大学2023年硕士研究生招生考试自命题考试大纲已公布,包含民俗学概论、文学概论、民间文艺学考试大纲等均已公布,请考生及时查阅。各专业大纲详见下文:PS:小编提前为同学们准备了《新大纲变化解析手册》,戳码即可0元预约下载,《手册》完成后将自动上传!

用于车辆跟踪系统的集成电源解决方案

LT4356-1驱动一个作为调整管的外部N沟道、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(参见图3)。在正常工作模式下,LT4356-1使MOSFET完全开启,并提供从输入到下游负载的低阻抗路径。如果输入电压浪涌过高,LT4356-1就会控制MOSFET的栅极,并将输出电压调节至由OUT引脚到地之间的R33和R34电阻分压器设定的安全电压电平。MOSF...