箱式变电站的适用场所及其配置要求,精华总结来了

其中,Ifj为变压器短时负荷尖峰电流,Id为变压器单相接地故障电流。此要求对于D,yn11接线的变压器容易满足,但对于Y,yn0接线的变压器则不易满足,这也是箱变多采用D,yn11变压器的原因。变压器低压总断路器的短延时过电流脱扣器整定时间一般为0.6s,可以保证与下一级断路器的时间级差不小于0.2s。4)瞬时过电流脱扣...

...| 李韦伟、丁黎明:简单制备六臂螺旋桨型电子受体及其在高性能...

具体来说,开路电压从0.837V提升至0.854V,短路电流密度从27.44mA/cm??2;提升至27.97mA/cm??2;,填充因子从77.75%提升至79.71%。这些性能参数的全面优化,充分证明了DT-6IC在提升有机太阳能电池性能方面的巨大潜力。图4.(a)J-V特性曲线、(b)EQE光谱、(c)Jph-Veff图、(d)空穴和电子迁移率、(...

《电工技术学报》高转矩性能电机及其系统领域最新优文推荐|2024年...

摘要:该文提出一种将子域法及等效磁路法相结合的新型解析模型,可在计及磁桥饱和的情况下,计算具有任意极槽配合的V型/U型/一字型内置式永磁电机的空载电磁性能。建模时首先根据转子结构将永磁体进行等效,以便于各子域的建立;为了考虑转子磁桥处的饱和,采用等效磁路法来计算磁桥处的磁导率,以便于相应子域边界条件方程的...

功率半导体:IGBT 和 SiC 电源开关工程基础知识

开关电源器件的速度取决于驱动电流。要计算驱动器可用的驱动电流,应使用施加的栅极驱动电压和栅极电阻:栅极电阻器控制器件的瞬态电压(dv/dt)和瞬态电流(di/dt)的速度,以限制开关噪声和开关损耗。对于功率器件,上升时间、下降时间以及导通和关断之间的延迟通常是不同的,因此需要单独考虑。例如,关断时的...

利元亨: 广东利元亨智能装备股份有限公司2023年度向特定对象发行...

????所有发行对象均以人民币现金方式并按同一价格认购本次发行的股份。价格为不低于定价基准日前二十个交易日公司股票交易均价的??80%,定价基准日为发行期首日。上述均价的计算公式为:定价基准日前二十个交易日股票交易均价=定价基准广东利元亨智能装备股份有限公司??????????????????????...

抢鲜看|《电工技术学报》2024年第15期目次及摘要

摘要:针对反电动势含有3次谐波的五相永磁同步电机(PMSM)开路和短路故障导致转矩脉动大的问题,该文提出一种基于扰动观测器的矢量控制(DOB-FOC)策略(www.e993.com)2024年11月26日。该策略基于降阶正交变换矩阵在同步旋转坐标系上建立PMSM开路故障情况下的基波模型,将3次谐波反电动势、短路电流等作为扰动信号。在此基础上,设计扰动观测器,观测出以...

...系列终结篇:富昌电子基于SiC MOSFET的电动汽车逆变器方案及其...

短路、过流、过温、过压、欠压保护。米勒钳位功能(AMC)。采用车规级元器件,核心器件通过AEC-Q100认证。1.5SiC逆变器测试结果SiC逆变器电流测试波形图2SiC逆变器UVW三相电流波形热成像仪下测得的逆变器温度测试条件如下:散热器材质:高导系数的氮化铝...

IGBT及其子器件的四种失效模式介绍

当EEC时,大约要经历104次短路以上,器件会因周期性的能量累积退化使它失效。当E=EC时,器件失效模式不明确。当能量等于或稍等于EC时,器件关断后,器件的拖尾电流,经过一段延迟时间tdf,将导致热击穿。这段延缓性失效时间为微秒级。图6给出不同短路续时间TSC,IGBT测量的短路电流波形。

开关电源的干扰及其抑制措施

1)开关管开关管及其散热器与外壳和电源内部的引线间存在分布电容,当开关管流过大的脉冲电流(大体上是矩形波)时,该波形含有许多高频成份;同时,关电源使用的器件参数如开关功率管的存储时间,输出级的大电流,开关整流二极管的反向恢复时间,会造成回路瞬间短路,产生很大短路电流,另外,开关管的负载是高频变压器或储能电感...

昆山国力电子科技股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券...

昆山国力电子科技股份有限公司(以下简称“国力股份”、“发行人”或“公司”)全体董事、监事和高级管理人员保证上市公告书的真实性、准确性、完整性,承诺上市公告书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。根据《中华人民共和国公司法》、《中华人民共和国证券法》等有关法律、法规的规定,...