中科院北京纳米能源所张弛研究员团队EES:基于P/N型有机半导体纤维...

中科院北京纳米能源所张弛研究员团队报告了一种基于P/N型有机半导体编织和逐层串联/并联组装策略的高性能可穿戴摩擦伏特直流电源纺织品。通过传统的编织工艺制造出具有形态适应性、机械柔韧性和防潮性的高性能电力纺织品(WDP)。WDP是一种双层交错结构,具有很高的变形能力,并可按不同尺寸制造。研究人员将P型的有...

浙大单冰Angew:有机p-n结光电极实现86%内量子效率光电催化合成氨

论文DOI:10.1002/anie.202415729全文速览浙江大学单冰课题组设计了一种基于有机p-n结(OPN)网络的新型分子光电极OPN-CuCo,用于光电催化硝酸盐还原产氨。该光电极在太阳光照射下产生高通量电荷分离态,电子和空穴分别分离于n型苝二酰亚胺(PDI)和p型聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PED

离子束图案化掺杂构建二维横向p-n结

通过将超低能离子注入技术与光刻技术相结合,该工作实现了二维半导体的图案化掺杂,成功制备了基于WS2的横向p-n同质结。开尔文探针力显微镜表征显示结区存在着明显的表面电势差,证明了利用该方法进行选区掺杂构建横向p-n同质结的可行性。该p-n结在光照条件下表现出明显的光伏效应,并对不同波段的入射光均展现出良好...

新能源与大宗之光伏001:多晶硅生产成本分析

当N型半导体与P型半导体连接,由于载流子浓度差异,多数载流子会相互扩散,最终形成一个由N区指向P区的内电场,此时受电场影响各区的少数载流子又相互漂移,补充对方扩散失去的多数载流子,最终扩散与漂移形成动态平衡。动态平衡达成后,N型和P型半导体的结合面两侧留形成离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区就是P-N结,太阳...

东微半导申请半导体超结功率器件专利,将形成p??n结二极管结构

金融界2024年6月21日消息,天眼查知识产权信息显示,苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“半导体超结功率器件“,公开号CN202211651724.3,申请日期为2022年12月。专利摘要显示,本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件,包括:n型半导体层;位于所述n型半导体层内的多个p型柱;位于所述n型半导体层内且位于所述p型...

中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转(即双向光电流现象)(www.e993.com)2024年11月10日。相关成果以“Bidirectionalphotocurrentinp–nheterojunctionnanowires”为题于9月23日发表在《自然??电子学》上(NatureElectronics2021,4,645–652)。这是中国科大...

浙江大学赵保丹&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p...

在这项研究中,浙江大学赵保丹和狄大卫等人报告了一种方法,通过引入具有强电子吸引能力的磷酸分子掺杂剂,可以调节宽带隙钙钛矿半导体的p型和n型特性。结果表明,p型和n型样品的载流子浓度均超过了1013??cm??3,霍尔系数在??0.5??m3C??1(n型)到0.6??m3C??1(p型)范围内。我们观察到了费米能级在带...

南京邮电大学2025研究生考试大纲:《半导体物理》

6、p-n结6.1p-n结及其能带图6.2p-n结电流电压特性6.3p-n结电容6.4p-n结击穿7、金属和半导体接触7.1金属半导体接触及其能级图7.2肖特基势垒二极管8、半导体表面与MIS结构8.1表面电场效应原标题:2025年硕士研究生初试科目参考教材及考试大纲(预告版)...

金刚石:新能源汽车IGBT功率模块散热的新利器

电子作为P+N-P晶体管的少数载流子,从集电极衬底P+层开始流入空穴,进行电导率调制(双极工作),降低集电极-发射极间饱和电压,使IGBT导通。当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时,沟道被禁止,没有空穴注入N-区内,IGBT关断。3、在新能源汽车电机驱动中的作用...

光伏电池片新技术逐步迭代,异质结降本增效进展迅速

IBC电池为叉指式背接触太阳电池,其电池结构特点为正面沉积钝化和反射膜、无金属栅线,消除了正面金属电极结构带来的光学损失;背表面的PN结和金属接触以叉指式排列。3、光伏电池片技术由P型向N型迭代随着新型高效电池技术的成熟及大规模应用,各类型光伏电池片的转换效率在不断提升。截至2021年底,PERC电池技术仍是市...