国产闪存芯片自给率有待进一步提升

其中,第一类存储模组厂商主要为向市场供应存储模组的公司,这类企业已具备或正在完善自研主控芯片能力,如江波龙、德明利、佰维存储等;第二类主控芯片厂商为主要从事闪存主控芯片设计、研发并向市场提供闪存主控芯片产品的公司,这类企业中部分企业也逐步将业务拓展至存储模组产品,如联芸科技、得一微等。目前存储市场主流主控芯...

铠侠提出为 SK 海力士生产芯片,以恢复与西部数据的合并谈判

铠侠提出为SK海力士生产芯片,以恢复与西部数据的合并谈判IT之家2月18日消息,据路透社援引日本共同社报道,日本3DNAND闪存制造商铠侠(Kioxia)向其投资者、韩国竞争对手SK海力士(SKHynix)提议,允许其在铠侠位于日本的工厂生产非易失性存储器。此举旨在让SK海力士改变其对铠侠与西部数据合并计划的反...

长鑫存储开始以18.5nm工艺生产DRAM芯片,初始产能每月10万片晶圆

去年末,长鑫存储(CXMT)正式推出了LPDDR5系列产品,其中包括了12Gb的LPDDR5颗粒,POP封装的12GBLPDDR5芯片及DSC封装的6GBLPDDR5芯片,成为了国内首家自主研发并生产LPDDR5的厂家。在受到各种限制的情况下,长鑫存储并没有放慢技术研发的步伐,甚至还加快了速度。据DigiTimes报道,长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5...

长鑫、长存两大中国存储芯片巨头受美国打压后,发展如何?

长江储存以"CrystalStack"的方式,从64到128,再到232,与美光、三星等国际大公司并驾齐驱,更在232层的制程上,超过三星等企业,率先实现232层3D闪存的批量生产。但是,这个想法很快就被美国阻止了,因为他们试图阻止我们128层NAND快闪记忆体的发展,以及128个以上的硬体与科技。长江存储现在的232层内存,已经很少了...

德明利2023年年度董事会经营评述

2)闪存主控芯片采购公司存储模组使用的闪存主控芯片包括Fabless自研芯片代工生产和外部采购闪存主控芯片两种方式,公司外购闪存主控芯片为自研闪存主控芯片的有效补充。报告期内,公司持续开展以闪存主控芯片为核心的闪存控制管理技术的研发,其中,根据NANDFlash存储晶圆的技术架构和产品特点进行专业化的闪存主控芯片匹配,并形成...

存储行业幕后厂商下场消费级市场,佰维NV7400 4TB固态硬盘测评~

目前闪存颗粒的主要生产厂家，长江存储、三星、SK海力士、美光等，我个人建议是不需要过于追求某一个厂家，各家各有各的优势，但能选TLC颗粒，还是尽量选TLC(www.e993.com)2024年11月22日。2.主控芯片主控芯片顾名思义，就是固态硬盘的”大脑“了，负责处理硬盘的写入、擦除和资源分配等，好的主控能够提升固态硬盘的稳定性、速度以及寿命等...

【硬件资讯】联合减产?成功涨价?那就给世界一点中国震撼!长鑫官宣...

国产芯片的又一突破,长鑫存储正式推出LPDDR5内存昨天国产CPU传来了好消息,龙芯中科正式发布了龙芯3A6000处理器,而在存储领域其实也有好消息,长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品,这是国内首家自主研发并生产LPDDR5的厂家。根据长鑫官网的信息,他们首批产品包括12Gb的LPDDR5颗粒,POP封装的12GBLPDDR5芯片及DSC封装的6GBLP...

韩企发力科技突破 三星成功生产第9代V-NAND闪存芯片

根据最新消息,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae近日表示,三星已成功生产基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,并计划在明年初实现量产。同时,三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。负责人士进一步指出,对于DRAM产品,三星正在研发3D堆叠结构和新材料;而对于NAND闪存产品,公司正通过增加堆叠层数、降低高度来...

海外芯片股一周动态:三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产...

1.沙特阿拉伯和阿联酋争相购买英伟达芯片——沙特阿拉伯和阿联酋正在购买数千颗对构建人工智能软件至关重要的高性能英伟达芯片,以加入全球人工智能军备竞赛。沙特阿拉伯和阿联酋已公开表示,他们的目标是成为人工智能领域的领导者。2.三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产——三星电子计划停止其位于韩国平泽市P1工厂的部分...

朗科科技:公司“朗系列”产品主控芯片、闪存颗粒、生产制造所有...

公司回答表示,感谢您的关注。公司“朗系列”产品主控芯片、闪存颗粒、生产制造所有环节均由中国企业完成,并获得多个国产操作系统和硬件CPU平台兼容适配认证,为客户打造安全可控的国产化存储方案。公司将致力于提高客户满意度,并努力提升产品质量和市场份额。点击进入互动平台查看更多回复信息...