MOS管G极与S极之间的电阻作用
t3→t4:Vgs继续上升,此时进入可变电阻区,DS导通,Vds降来下来(米勒平台由于限制了Vgs的增加,也就限制了导通电阻的降低,进而限制了Vds的降低,使得MOS管不能很快进入开关状态)。2.MOS管G极与S极之间的电阻作用反激电源图:R3为GS电阻用一个简单的实验证明GS间电阻的重要性:取一只mos管,让它的G极悬空,然后在...
MOS管GS电阻有什么作用?
2.MOS管G极与S极之间的电阻作用反激电源图:R3为GS电阻用一个简单的实验证明GS间电阻的重要性:取一只mos管,让它的G极悬空,然后在DS上加电压,结果发现输入电压才三四十伏的时候,MOS管的DS就会直接导通,如果不限流则可能损坏。按说此时没有驱动,MOS管不应导通。但其实由于MOS管寄生电容的存在,当在DS之间加电...
MOS管及其外围电路设计
当mos关断时,Qoff打开,关断电流就会流经该三极管Qoff,这样mos管gs的电压就被钳位至地电平附近,从而有效地避免了mos的误开通。1.3驱动电阻阻值的选择根据1.1节和1.2节的分析,就可以求得mos管驱动电阻的上限值和下限值,一般来说,mos管驱动电阻的取值范围在5~100欧姆之间,那么在这个范围内如何进一步优化阻值的选...
吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
干货| MOS管防护电路解析
所以要在MOS管栅源极并联稳压管(图中D903)以限制栅极电压在稳压管稳压值以下,保护MOS管不被击穿,MOS管栅源极并联电阻(图中R516)是为了释放栅极电荷,不让电荷积累,实测单独焊接该下拉电阻(R516)还是不足以快速释放g极电荷,会导致mos管误触发,可靠的放电电路还是需要依赖MOS管g极->D507->驱动芯片地回路来进行...
MOS管基础及选型指南
5、MOS管输入阻抗大,低噪声,MOS管较贵,三极管的损耗大(www.e993.com)2024年10月21日。6、MOS管常用来作为电源开关,以及大电流开关电路、高频高速电路中,三极管常用来数字电路开关控制。▉G和S极串联电阻的作用MOS管的输入阻抗很大,容易受到外界信号的干扰,只要少量的静电,就能使G-S极间等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把静电释放掉,...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区,形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G,通常用金属铝或者多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层(厚度极薄,在0.1μm以内)隔开。若在漏极和源极之间加上电压,而栅源电压VGS=0,则由于漏极和源极之间相当于两个PN结背向地串联,所以D-S间不导通。若...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
为防止MOS管损坏,应限制栅源极电压(Vgs),而P沟道MOS管通常具有20V的Vgs最大值,取降额系数为0.8,那么Z2的稳压值选为20×0.8=16V,尽量选择小功率(小稳定电流),小贴片封装的稳压管,可选ZMM16,封装为SOD-80,稳定工作电流为5mA~20mA。8.计算Z2的限流电阻R4的阻值...
一文搞懂IGBT
当VGS≥VGS(th)时,栅极G和衬底p间电场增强,可吸引更多的电子,使得衬底P区反型,沟道形成,漏极和源极之间电阻大大降低。此时,如果漏源之间施加一偏置电压,MOSFET会进入导通状态。在大部分漏极电流范围内ID与VGS成线性关系,如下图所示。这里MOSFET的栅源电压VGS类似于IGBT的栅射电压VGE,漏极电流ID类似于IGBT的...
电源设计必学电路之驱动篇
三级管驱动电路是最基本的MOS管驱动电路,下面以N—MOS三极管驱动电路为例。如图,当控制核心输出高电平时,三极管Q1导通,N-MOS管Q2控制极(G)被拉低,MOS管截止;当控制核心输出低电平时,三极管Q1截止,电阻R3和R4对电源(V+)分压,MOS管导通并达到饱和状态。G极电压为:...