8种开关电源MOS管的工作损耗计算
1、电压应力在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即:VDS_peak≤90%*V(BR)DSS注:一般地,V(BR)DSS具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之V(BR)DSS值...
吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
MOS管及其外围电路设计
当mos关断时,Qoff打开,关断电流就会流经该三极管Qoff,这样mos管gs的电压就被钳位至地电平附近,从而有效地避免了mos的误开通。1.3驱动电阻阻值的选择根据1.1节和1.2节的分析,就可以求得mos管驱动电阻的上限值和下限值,一般来说,mos管驱动电阻的取值范围在5~100欧姆之间,那么在这个范围内如何进一步优化阻值的选...
MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)
首先,在可以承受的击穿电压的前提下(即器件的工作电压平台),器件导通电阻越低,其导通损耗就越低。其次,器件在开关状态间切换时,栅极电荷越小,器件的开关速度就越快,其动态损耗就越低。图:MOS管结构对于功率MOSFET来说,导通电阻与栅极电荷互为权衡(trade-off)关系,因为对于同一个器件结构来说,可以通过并联更...
选择三浦微MOS管SP45R0P6,再无发热损耗之忧
三浦微MOS管SP45R0P6三浦微SP45R0P6是一款45V/130A导通电阻1.25mΩ的SGT技术NMOS管,具备极低RDS(ON)导通电阻,封装为DFN5*6,通过RoHS无铅无卤素认证。SP45R0P6采用SGT技术制造,相较于传统的Trench结构MOS管,具有更低的导通电阻以及开关损耗。采用这种技术的三浦微MOS管不仅在高频开关应用环境下表现卓越,而且能...
上汽集团取得脉冲信号边沿选择电路及控制电路专利,实现边沿选择...
专利摘要显示,本申请公开了一种脉冲信号边沿选择电路及控制电路,包括:金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻;第二电阻的第一端用于连接脉冲信号源;第二电阻的第二端通过第三电阻接地;第二电阻的第二端连接MOS管的栅极;MOS管的源极用于接地;MOS管的漏极连接第一电阻的第一端;第一电...
为何绿联、移族等户外电源选择TOLL封装MOS?这篇文章给你答案
TOLL封装MOS在户外电源上的应用充电头网通过整理以往的拆解案例时,发现多款户外电源产品搭载TOLL封装MOS管。文中出现的几款器件部分参数如图所示,下文小编将为您详细介绍。捷捷微JMSH1003ATL捷捷微JMSH1003ATL是一颗NMOS,耐压100V,导阻2.7mΩ,采用TOLL封装。该器件100%通过UIS和Rg测试,采用无铅电镀,无卤素材料...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可,因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
MOS管-IC电子元器件
3、增强型MOS管(EnhancementMOSFET):栅极电压为正时导通,栅极电压为零时截止。4、耗尽型MOS管(DepletionMOSFET):栅极电压为负时导通,栅极电压为零时截止。5、压控型MOS管(VDMOS):用于功率放大器,具有较低的导通电阻。04MOS管常见故障及预防措施
干货| 动态改变DC-DC反馈电阻,调整输出电压
答:电容C37为DC-DC的前馈电容,目的是调整芯片输出电压的响应速度,以后有机会再具体展开分析。3、电容C38与C39的作用是?答:进行电源滤波,它们是滤波电容。4、三极管Q1可以直接替换为MOS管吗?答:可以,而且MOS管型号经常选用2N7002。替换为MOS管可以进一步降低功耗,但是MOS管的价格比三极管高得多。