中国SI3N4氮化硅陶瓷基板(白板)发展前景与投资规划分析报告
4.4欧洲市场Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)销量、收入及增长率(2020-2030)4.5中国市场Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)销量、收入及增长率(2020-2030)4.6日本市场Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)销量、收入及增长率(2020-2030)4.7东南亚市场Si3N4氮化硅陶瓷基板(白板)销量、收入及增长率(2020-2030)4.8印度市场Si3N...
填补国内高端金属陶瓷基板空白,贺利氏电子“本地化”战略全面升维
鉴于碳化硅是具备高压高结温的功率器件,而且结温范围通常在175℃到200℃之间,贺利氏电子便对AMB金属基板的整个材料体系都进行了升级,使其导热系数大幅提高,实现氮化硅陶瓷的导热系数为80-100瓦(W),以及烧结银在200瓦以上等。相对而言,IGBT基板使用的传统氧化铝导热率仅为26瓦,焊锡膏的导热率则基本在三四十瓦四...
2024年全球氮化硅陶瓷基板市场专业调查研究报告-聚亿信息咨询
图00001.氮化硅陶瓷基板,全球市场规模,按产品类型细分,0.32mmSiN基板处于主导地位就产品类型而言,目前0.32mmSiN基板是最主要的细分产品,占据大约91.0%的份额。图00001.氮化硅陶瓷基板,全球市场规模,按应用细分,汽车是最大的下游市场,占有79.4%份额。就产品应用而言,目前汽车是最主要的需求...
服务电动汽车等新兴行业,贺利氏长三角新工厂开业,首次将陶瓷基板...
目前在电动汽车的技术平台上,SiC芯片加上AMB(Si3N4陶瓷)敷铜陶瓷基板,成为电驱模块的主流搭档。氮化硅(Si3N4)陶瓷具有优良的绝缘和散热性能、高导热性、抗热震性能,从而在高温情况下保持良好的电气和机械性能,将为电动汽车保驾护航,提供优异的长期行驶可靠性能。2022年12月,常熟市经贸代表团访问了位于德...
宜宾红星电子申请氮化硅基板流延生坯回收利用专利,大幅减少固体...
金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,宜宾红星电子有限公司申请一项名为“氮化硅基板流延生坯回收利用方法”的专利,公开号CN118930282A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种氮化硅基板流延生坯回收利用方法,属于陶瓷制备技术领域。本发明为实现氮化硅基板流延生坯废料的回收利用,提供了...
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该项目已形成年产10万片的生产能力,项目实施期间实现相关产品销售收入超过100万元(www.e993.com)2024年12月20日。项目为芯片封装行业提供了坚实的基础,推动了河北省氮化硅陶瓷基板产业向高技术、高附加值方向发展,促进省内相关产业结构优化升级。
财说| 富乐德蛇吞象收购导致股价翻倍,并购标的陶瓷基板龙头含金量...
当前600V以上功率半导体所用的陶瓷基板主要采用DBC和AMB工艺,其中AMB氮化硅基板主要用于电动汽车(EV)和混合动力车(HV)功率半导体,AMB氮化铝基板主要用于高铁、高压变换器、直流送电等高压、高电流功率半导体。在本次收购前,富乐华累计完成四轮融资,其中A轮融资就有中车时代高新投资的参与,可见其在高铁及高压功率半导体...
...氮化硅、高端氧化铝的粉体和基片,正积极打造陶瓷基板产业平台
谢谢!公司回答表示:公司基于氮化铝、氮化硅、高端氧化铝的粉体及基片研发能力和国瓷赛创的陶瓷基板生产能力,正在积极打造陶瓷基板产业平台,目前已布局薄膜陶瓷基板、激光光通信基板、激光雷达陶瓷基板、射频等产品。
...聚焦IGBT等大功率半导体封装用的高端氮化铝和氮化硅陶瓷基板...
公司聚焦IGBT等大功率半导体封装用的高端氮化铝和氮化硅陶瓷基板、直接键合铜DBC和活性金属钎焊AMB覆铜基板产品研发,目前尚在研发阶段。直接键合铜DBC和活性金属钎焊AMB覆铜基板因载流量大、耐高温、导热性好及热膨胀系数与半导体芯片更匹配等优异性能,在IGBT等大功率半导体器件的封装中得到了广泛的应用。具体研发进展请...
国瓷材料:目前已布局薄膜陶瓷基板、激光光通信基板、激光雷达陶瓷...
谢谢!国瓷材料(300285.SZ)6月26日在投资者互动平台表示,公司基于氮化铝、氮化硅、高端氧化铝的粉体及基片研发能力和国瓷赛创的陶瓷基板生产能力,正在积极打造陶瓷基板产业平台,目前已布局薄膜陶瓷基板、激光光通信基板、激光雷达陶瓷基板、射频等产品。