英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆,突破技术极限并提高能效

英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展,这种晶圆直径为300mm,厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一,是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。JochenHanebeck英飞凌科技首席执行官这款全球最薄的硅晶圆展现了我们致力于通过推动功率半导体技术的发展,为客户创造非凡的价值。英飞凌在超薄晶...

华海清科申请基于电涡流的金属膜厚测量等专利,提高了晶圆在抛光...

金融界2024年11月8日消息，国家知识产权局信息显示，华海清科股份有限公司申请一项名为“基于电涡流的金属膜厚测量方法、装置及化学机械抛光设备”的专利，公开号CN118905910A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本申请提供了一种基于电涡流的金属膜厚测量方法、装置及化学机械抛光设备，该方法包括：在...

英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆: 20μm 厚,基板电阻降低 50%

这种晶圆直径为30mm,厚度为20μm、仅有头发丝的四分之一,是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。IT之家获悉,与基于传统硅晶圆的解决方案相比,晶圆厚度减半可将基板电阻降低50%,从而使功率系统中的功率损耗减少15%以上。据官方介绍,对于高端AI服务器应用来说,电流增大会推动能源需求上升,因此,将...

物元半导体申请半导体器件制造方法专利,进一步减薄晶圆厚度

金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,物元半导体技术(青岛)有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法及半导体器件”的专利,公开号CN118919489A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件,其中,制造方法至少包括以下步骤:提供一器件晶圆;对器件晶圆的正面执行...

华海清科申请晶圆金属薄膜厚度测量专利,确定金属薄膜厚度

华海清科申请晶圆金属薄膜厚度测量专利，确定金属薄膜厚度金融界2024年11月8日消息，国家知识产权局信息显示，华海清科股份有限公司申请一项名为“晶圆金属薄膜厚度的测量方法、装置、抛光设备和介质”的专利，公开号CN118905940A，申请日期为2024年8月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种晶圆金属薄膜厚度的测量...

兴宇宏申请具有间隙自适应微调功能的晶圆自动理片器专利,适应不同...

金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,兴宇宏半导体科技(苏州)有限公司申请一项名为“具有间隙自适应微调功能的晶圆自动理片器”的专利,公开号CN118919463A,申请日期为2024年7月(www.e993.com)2024年11月18日。专利摘要显示,本发明公开了具有间隙自适应微调功能的晶圆自动理片器,涉及半导体理片器技术领域,在常规晶圆理片器基本原理...

英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆,厚度仅 20μm 未来可期

此款晶圆直径达300mm,厚度仅为20μm,仅为头发丝的四分之一,相比当前先进的40-60μm晶圆厚度减少了一半。这一突破不仅降低了基板电阻,减少了功率损耗,还优化了功率系统的效率。英飞凌在处理和加工这种超薄晶圆时,克服了诸多技术障碍。工程师们创新出独特的晶圆研磨方法,解决了晶圆翘曲度和分离等难题,确保...

芯源微申请一种晶圆涂覆厚胶的方法专利,增加晶圆的有效使用面积

金融界2024年6月20日消息,天眼查知识产权信息显示,沈阳芯源微(103.930,0.31,0.30%)电子设备股份有限公司申请一项名为“一种晶圆涂覆厚胶的方法”,公开号CN202211601970.8,申请日期为2022年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种晶圆涂覆厚胶的方法,属于集成电路制造晶圆工艺中的涂胶处理技术领域。该方法是在晶圆涂覆...

高精度、高速、一体式丨Santec晶圆测厚系统 TMS-2000

导读:高精度,高速测量,一体式设计,提供客制化服务——SantecTMS-2000,非接触式高精度晶圆测厚系统。在极端工作环境中也能保持1nm的测量精度。7/19/2024,光纤在线讯,在半导体制造领域,晶圆的厚度测量对于确保产品质量和性能至关重要。随着技术的发展,行业对晶圆平整度和厚度的测量精度要求越来越高。SantecTMS...

晶圆的定义是什么?它在半导体制造中有何重要性?

在半导体制造的广袤领域中,晶圆是一个至关重要的元素。那么,究竟什么是晶圆呢?晶圆,简单来说,是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。它通常是由高纯度的硅材料制成,具有极高的平整度和纯净度。晶圆的尺寸规格多种多样,常见的有4英寸、6英寸、8英寸和12英寸等。不同尺寸的晶圆在生产效率和成本方面存在差...