天通股份:公司的大尺寸射频压电晶圆项目中包含大尺寸铌酸锂晶圆的...

随着AI算力的不断增加,对高速光通讯模块需求越来越大,铌酸锂晶体材料在光通信领域的需求将持续增长。公司的大尺寸射频压电晶圆项目中包含大尺寸铌酸锂晶圆的生产,是制备单晶铌酸锂薄膜的关键原材料。随着大数据和算力不断提升,大数据需要的服务器数量和能耗要求更高,大算力要求芯片前端的电感具备耐大电流、低损耗特性,公司...

大尺寸化加速!首片国产8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆发布

氮化镓晶圆的大尺寸化进程再次加速。在近日召开的2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会上,西安电子科技大学联合广东致能科技展示了全球首片8英寸蓝宝石基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMTs)晶圆器件。此前,德州仪器的一位高管也表示,该公司正在将其多个晶圆厂的6英寸氮化镓转向8英寸晶圆生产。从6英...

晶圆(硅片)为什么越来越大?

假设芯片的结构尺寸(即芯片的设计和所需的物理空间)相同,那么在300毫米的硅片上可以比200毫米的硅片上多制造超过两倍的芯片。这意味着更大的硅片可以显著提升产量。2.成本降低硅片面积增大后,产量增加,而制造工艺的一些基本步骤(例如光刻和蚀刻)不随硅片尺寸的变化而变化。这样就可以在不增加工艺步骤的情况下提高...

晶圆边缘的缺陷挑战为何越来越突出

“通过使用设计检测测试结构和具有电压对比的电子束探针,可以对结构进行电气测量,以识别晶圆上对准(覆盖)和临界尺寸线宽的最小变化,”Brozek表示,“因为你想将好的芯片堆叠在好的芯片上,所以在堆叠芯片之前需要了解其电气特性。但这已经实现了。”3DNAND制造中还存在其他变化问题,数百层薄膜的堆叠也增加了损坏晶圆...

请问芯片中的晶体管为什么越做越小?但是用于制造芯片的晶圆直径却...

晶圆直径增加的原因:成本优化:更大直径的晶圆可以在单个晶圆上制造出更多的芯片,从而提高了生产效率,降低了单位芯片制造成本。材料利用率:增加晶圆尺寸减少了边缘区域相对于整个晶圆面积的比例,这提高了材料的使用效率。制造技术的进步:随着技术的发展,设备和制造过程均已适应更大晶圆,使得晶圆直径的增加成为可能。

晶圆的定义是什么?它在半导体制造中有何重要性?

再者,晶圆的尺寸越大,在单位面积上能够制造的芯片数量就越多,从而降低了生产成本(www.e993.com)2024年11月18日。随着半导体技术的不断发展,对晶圆尺寸的要求也越来越高,大尺寸晶圆逐渐成为主流。此外,晶圆的制造工艺也在不断进步。为了满足高性能半导体器件的需求,晶圆的厚度、平整度、粗糙度等参数都在不断优化和改进。

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

粘度越高转速越低,光刻胶就越厚。反之,粘度越低转速越高,光刻胶就越薄。对于晶圆级封装而言,特别是倒片封装,光刻胶层的厚度须达到30μm至100μm,才能形成焊接凸点。然而,通过单次旋涂很难达到所需厚度。在某些情况下,需要反复旋涂光刻胶并多次进行前烘。因此,在所需光刻胶层较厚的情况下,使用层压方法...

台积电研究先进芯片封装技术:矩形代替圆形晶圆

晶圆尺寸越大，对工艺、设备和材料的要求就越高。良率的不可预测性增加了风险。晶圆直径越大，晶圆利用率更高，芯片数量更多，但在实际应用中，因为约75%的硅晶片采用直拉法进行生产，在晶体生长过程中，直径越大，由于旋转速度不稳定导致晶格结构缺陷的可能性越大。因此，通过增大晶圆尺寸降低的成本不能弥补大直径...

晶圆混合键合走向400nm互连间距

结果表明，在较小互连间距下，不一致的Cu垫尺寸设计比相同尺寸的Cu垫尺寸设计具有更高的介电击穿强度。该团队也得出结论，对于400nm互连间距，对位精度需要控制在小于100nm，才能在大规模生产时保证足够的良率。因此，为了满足未来3D-SOC设计的需求，对下一代晶圆混合键合设备的对位精度提出了更高的要求。结论晶圆...

晶圆为什么要抛光?

生产中的平坦化需要,尤其是在每次做光刻时,晶圆的表面一定要极致的平坦,这是因为随着芯片制程的缩小,光刻机的镜头要实现纳米级的成像分辨率,就得拼命增大镜片的数值孔径(NumericalAperture),但这同时会导致焦深(DoF)的下降,焦深是指光学成像的聚焦深度,要想保证光刻图像清晰不失焦,晶圆表面的高低起伏,就必须落在...