突破!长江存储的X3-6070闪存芯片每个单元可进行4,000次擦写循环

据IT媒体报道，长江存储公司最近推出了一款名为YMTCX3-6070的闪存芯片。该公司表示，这款闪存芯片的耐久性可以与竞争对手的3DTLCNAND闪存芯片相媲美。X3-6070采用了长江存储的第三代Xtracking架构，拥有128层，虽然层数相对较低，但长江存储表示，这正是实现高耐久性的关键之一。长江存储还提到了其他三个因素，包...

美光疑似“偷学”中企的存储芯片技术

成立于2016年的长江存储是我国内地存储芯片领域的领军企业之一，由紫光集团和武汉新芯共同组成，主营NAND业务，早在2021年就量产了128层3D堆叠产品，232层产品在管制新规之前亦开始上量。芯片从业者普遍认为，从技术上看，长江存储已与三星、SK海力士等国际存储大厂有一战之力，“相差顶多一代”。因为网络安全隐患...

长鑫、长存两大中国存储芯片巨头受美国打压后,发展如何?

长江储存以"CrystalStack"的方式,从64到128,再到232,与美光、三星等国际大公司并驾齐驱,更在232层的制程上,超过三星等企业,率先实现232层3D闪存的批量生产。但是,这个想法很快就被美国阻止了,因为他们试图阻止我们128层NAND快闪记忆体的发展,以及128个以上的硬体与科技。长江存储现在的232层内存,已经很少了...

中美“存储芯片大战”剧终,美光、晋华握手言和

2023年11月,我国NAND存储器生产商长江存储,向美国法院提起了专利侵权诉讼,指控美光侵犯了公司的多项3DNAND技术专利,并称这些侵权行为已用于其固态硬盘产品中,包括96层、128层、176层与232层等3DNAND产品。长江存储对进口设备依赖程度非常高,大部分是进口设备,其128层、232层3DNAND更是在美、日、荷等国设备...

一文读懂:美光、晋华握手言和,“存储芯片战”剧终

长江存储对进口设备依赖程度非常高,大部分是进口设备,其128层、232层3DNAND更是在美、日、荷等国设备的基础上实现生产的,面对技术力量雄厚,在美国有数以万计的专利储备,且过去三十年几乎没有遭遇同业的专利诉讼的美光,此时发起专利侵权诉讼非常耐人寻味。

长鑫、长存,中国两大存储芯片巨头,被美打压后,发展怎么样了?

长江存储发明了“晶栈”技术,从64层到128层,再迅速突破到232层,于三星、美光等巨头,站到同一起跑线,甚至在232层技术上,还超过了三星等,成为全球第一家量产232层3DNAND闪存的厂商(www.e993.com)2024年11月22日。不过后来被美国打压,美国想要锁死我们的NAND闪存技术在128层,对128层以上的设备、技术进行了封锁。

SSD能有多便宜:2TB新品不到700元!长江存储232层原片颗粒加持

按照官方的说法,该新品搭载联芸MAP1602主控+长江存储232层(武当山)原片颗粒,号称是目前消费级唯一的长存武当山原片。同时,他们还将推出一款慧荣SM2269XT主控+长江存储128层(泰山)原片颗粒固态盘,有1TB和2TB版本,速度5000MB/s。按照长江储存公布细节看,已量产232层3DTLC颗粒,属于第四代3DTLC颗粒,...

长江存储128层TLC闪存拆解:存储密度高达8.48Gb/mm??,远超三星等

近日,国外权威研究机构TechInsights对长江存储的128层TLC3D闪存进行了芯片级的拆解,发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48Gb/mm??,远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。据介绍,TechInsights拆解的是Asgard(阿斯加特)的PCIe4.0NVMe1.4AN41TBSSD,其内部采用的正是长江存储的128层TLC3DNAND...

长江存储:64层闪存颗粒出货超3亿颗,128层QLC准备量产

9月14日消息,长江存储首席运营官程卫华在中国闪存市场峰会上透露,长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗,128层QLC已经准备量产,TLC良率做到相当水准。长江存储在2019年初实现了32层3DNAND量产,其首创Xtacking技术,顺利研发出64层3DNAND,并于2019年9月量产256Gb(32GB)TLC3DNAND。

3项世界之最 长江存储128层QLC闪存首次公开亮相

长江存储展示的另一个重点是128层QLC闪存，这是今年4月13日才正式宣布的，是64层闪存之后的下一代产品，基于Xtacking2.0架构。按照长存的说法，这款产品的独特之处在于，它是业内首款128层QLC规格3DNAND，且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。性能方面，...