石英股份:公司生产的是sio2,主要应用在半导体硅片生产加工的扩散...

石英股份（603688.SH）11月30日在投资者互动平台表示，我理解半导体用硅片应该是纯硅（si），是金属硅。我们公司生产的是sio2，主要应用在半导体硅片生产加工的扩散和刻蚀环节，是半导体加工过程中一种高端耗材，目前我们通过努力不断通过诸如东京电子（TEL)、美国LAM等半导体设备商的认证，产品已成为解决高端半导体领域用...

zycgr21071302等离子体刻蚀机(8寸 ICP+CCP)公开招标公告

项目概况等离子体刻蚀机(8寸ICP+CCP)招标项目的潜在投标人应在上海市共和新路1301号D座2楼,上海中招招标有限公司。获取招标文件,并于2024年07月29日09点30分(北京时间)前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号:STC24A290项目名称:等离子体刻蚀机(8寸ICP+CCP)预算金额:1600.000000万元(人民币)采...

晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀的原因

在各种化学工艺中(如清洗、刻蚀),边缘区域的化学反应速率可能与中心区域不同,这种不均匀性也会导致边缘腐蚀。综上所述,晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀现象主要由以下几个原因引起:氧化工艺中晶圆边缘的氧化速率较高,导致厚度不均。刻蚀工艺中刻蚀液或刻蚀气体沿晶圆边缘的渗透和扩散。清洗工艺中清洗液在晶圆边缘的残留或不...

苏州华林科纳---SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理

苏州华林科纳---SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理摘要研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点,并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在,建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型,SiQ在高频溶液中的溶解是在集成电路制造的一个基本步骤。Mat和Looney~研究了二氧化硅在高频溶液中的蚀刻速率作为...

高端半导体设备领军者中微公司深度解析

ICP刻蚀设备:2012年公司开发电感性等离子体刻蚀设备(ICP刻蚀设备),2018年发布第一代电感耦合等离子体刻蚀设备Primonanova,该设备不仅能够用于多种导体刻蚀工艺,比如浅沟槽隔离刻蚀(STI)、多晶硅栅极刻蚀;同时可用于介质刻蚀,如间隙壁刻蚀(SpacerEtch)、掩模刻蚀(MaskEtch)、回刻蚀(EtchBack)等,具...

电子特气行业深度报告:国产化迎历史性机遇

N2O纯度直接影响到SiO2膜纯度,如果杂质含量高,沉积的SiO2膜颗粒多、不光亮,产生表面折射率不均匀等现象,不利于光刻工艺的进行(www.e993.com)2024年11月19日。如果N2O中微量水含量高,可造成SiO2膜含氢量大,致密性达不到要求,导致器件工作状态不稳定,抗电磁辐射能力不强。因此为保证光电器件产品的质量和可靠性,要求一氧化二氮纯度必须在...