中国科大首次演示多模式量子中继并实现两个固态存储器的量子纠缠

这一架构把量子存储器和量子光源分离开来,故能同时兼容确定性光子源和多模式复用,是目前理论上通信速率最优的量子中继方案。李传锋、周宗权研究组长期从事基于稀土离子掺杂晶体的固态量子存储器的研究,近十年不断提升固态量子存储的性能指标以满足量子中继的技术需求,包括使存储保真度达99.9%、模式数达100个、光存储寿命...

...存储模块和存储器系统专利,实现以高速缓存行为单位执行连续...

所述操作存储模块的方法包括:基于从主机接收到的关于预取大小的信息来设置特性值;并且基于从主机接收到的一个预取读取命令,以高速缓存行为单位执行连续读取操作。

概伦电子董秘回复:公司能够为以各类存储器电路为代表的定制类芯片...

概伦电子董秘:尊敬的投资者,您好。公司能够为以各类存储器电路为代表的定制类芯片设计提供完整的EDA全流程解决方案,获得了众多全球领先存储器头部企业如三星电子、美光科技、SK海力士的大规模量产应用。公司将持续把握存储器芯片领域EDA全流程创新的先发优势,挖掘拥有同样高度战略地位和广阔市场规模的终端应用领域,联合终端...

HBM(高带宽存储器)简介

传统DRAM需要大量空间与CPU/GPU等处理器通信,同时封装的形式看需要通过引线键合或PCB进行连接,DRAM不可能对海量数据进行并行处理。HBM的概念HBM(HighBandwidthMemory)意为高带宽存储器,是一种面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序的DRAM,HBM的作用类似于数据的“中转站”,就是将使用的每一帧,每一幅图像等图...

佰维存储获24家机构调研:公司已推出适用于智能汽车的eMMC、UFS和...

答:惠州佰维拥有芯片封测和模组制造两个生产模块,其中芯片封测生产模块进行从晶圆到芯片的封装测试工序,主要用于嵌入式存储产品的制造,并为模组制造生产模块提供NANDFlash芯片原料;模组制造生产模块主要进行SMT、外壳组装及成品测试等工序,主要用于固态硬盘、内存条、存储卡等消费级/工业级存储产品的制造。在产品交付过程中...

存储器概念股崛起,大为股份涨停

存储器概念股崛起,大为股份涨停4月3日,存储器概念股崛起,大为股份涨停,江波龙、恒烁股份、普冉股份、佰维存储大涨(www.e993.com)2024年11月19日。

“鱼与熊掌兼得”,新型相变存储器问世:结合 DRAM 和 NAND 优点...

IT之家4月25日消息，韩国科技先进研究院（KAIST）近日发表论文，成功研发新型相变存储器（phasechangememory，PCM），可以灵活切换结晶（低电阻）和非晶体（高电阻），从而结合DRAM和NAND的优点。DRAM速度快但不稳定，这意味着断电时（例如关闭计算机时）存储在其中的数据就会消失；而NAND闪存即使断电...

动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)区别?

可以在较小的空间内存储更多数据；SRAM集成度较低。成本：DRAM成本较低，SRAM成本较高。刷新：DRAM需要定期刷新来保持数据，SRAM则不需要刷新。功耗：一般情况下，SRAM的功耗相对较高，DRAM功耗较低。应用场景：SRAM常用于高速缓存等对速度要求极高的地方；DRAM广泛用于主内存等需要较大存储容量的场合。

复旦微电:部分存储器产品在PC领域有客户使用

PC上呢？是否有进入一些主流厂商的供应链呢？公司回答表示：AIPC涉及的产业链很长，涉及的硬件包括但不限于各类的处理器、存储器等等。公司产品应用广泛，例如部分存储器产品在PC领域也有客户使用。相关业务均为日常业务之一。建议您审慎评估市场热点。本文源自：金融界AI电报作者：公告君...

长鑫存储取得半导体存储器专利,减小了存储器芯片的功耗

专利摘要显示,一种半导体存储器,包括:存储器芯片,所述存储器芯片中至少包括存储阵列;电压调节单元,所述电压调节单元用于将外部输入的第一电压转换为第二电压,以供所述存储阵列中的字线驱动电路使用,其中所述第一电压大于第二电压。本发明的半导体存储器减小了存储器芯片(或者半导体存储器)的功耗,同时电压被寄生电阻的...