申请专利:中国7纳米芯片光刻技术取得重大突破
申请专利:中国7纳米芯片光刻技术取得重大突破据工业和信息化部发布的最新消息,上海微电子装备(集团)股份有限公司已成功提交了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利申请(申请号:CN202310226636.7)。该专利针对当前极紫外(EUV)光刻技术中的关键挑战,提出了一种创新性的解决方案,旨在高效且简便地收集光刻...
每天制造芯片11.6亿颗,增长29.3%,中国芯再创纪录
从44%这个比例来看,可以证明,目前全球所有国家和地区的扩产规格,也就和中国差不多,所以中国芯片产量,能够提升30%这么多,能不断的创造新纪录。也因为中国芯片产能疯狂增长,同时还在不断的扩产,连美国芯片专家都认为,接下来,中国能造出比美国更好的芯片,同时因为中国芯片产业优势明显,未来中国芯片产业或将...
美国制裁没用,中国芯片没崩:制造核心技术和极紫外光源双突破!
二、我国半导体制造核心技术实现突破在高端芯片,比如用于AI方面的高端GPU,虽然中国还受到较大限制,但并表明中国就会坐以待毙。前几天,澎湃新闻报道,我国“我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺”。氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在多种多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用...
中国半导体芯片制造技术突破:仅次于光刻,打破欧美日技术垄断
这个好消息你知道吗?中国在芯片半导体领域再次完成技术突破,该项技术在半导体晶圆制造的应用仅次于光刻,打破欧美日旷日持久的技术垄断,牵头该项目的是一家央企,真抓实干,不计成本,苦心钻研,终成正果。这到底是怎么一回事呢?快给童子点个赞,咱们继续往下看。1.发生了什么国家电投9月10日消息称,国家电投(...
4年自主研发!中国实现芯片制造关键技术首次突破:一年内投入应用
快科技9月3日消息,据南京发布公告,经过4年的自主研发,国家第三代半导体技术创新中心(南京),成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。这也是我国在这一领域的首次突破,打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。沟槽型碳化硅MOSFET芯片因其卓越的性能,如更低的导通损耗、更好的开关性能和更高的晶圆密度...
拜登又要出芯片新规!六家中国头部厂商遭禁,新增 120 家实体,美国...
7月31日,据外媒报道,两位消息人士称,下个月美国政府计划公布一项芯片新规,该规定将扩大美国阻止他国向中国芯片制造商出口半导体设备的权力(www.e993.com)2024年9月19日。据其中一位消息人士透露,这项新规定是对所谓的《外国直接产品规则》的扩展,将禁止大约六家中国半导体企业获得来自其他众多国家的出口产品,而这些企业是中国最先进的芯片制造厂...
4600亿元,中国芯片出口猛增,海外制造业也开始认可中国芯片了
如今则不一样,中国在不少芯片行业取得突破,中国制造努力以国产芯片替代进口芯片,如存储芯片、5G射频芯片、CMOS芯片等等,国产芯片替代了进口芯片,自然芯片进口就逐步降低了,据悉3年时间中国芯片进口额下降了1000亿美元左右。2018年美国阻止ASML对中国销售先进的EUV光刻机,美国以为限制先进光刻机设备,可以阻止中国发展先进...
2023年数据:芯片设计美国比中国强,但制造、封测中国更强
可见,从整个芯片的设计、封测、制造这三个主要环节来看,芯片设计方面,美国比中国强,但在制造、封测方面,中国比美国强。所以说,如果我们能够将台湾省的芯片产业整合进来,那么中国也将成为全球芯片强国,美国都离不开,因为美国的芯片制造、封测,都要找中国企业来完成,美国只强于设计,但设计出来的芯片,没谁来制造、封...
中企宣布造出国际领先芯片,美称将不惜代价,阻中国获得先进技术
相反,雷蒙多在发布会上突然宣布美国即将对中国芯片领域加强限制的消息,她声称,一定要让中国企业无法获得最先进的芯片技术。“我们要保护美国拥有的半导体、人工智能等多项先进技术,绝对不能让中国抢占先机,为此我们可以不惜一切代价。”雷蒙多表示。打开网易新闻查看精彩图片...
中国芯片自给自足,不进口?不可能的,除非“中国制造”凉了
至于所谓的不再进口,全部自给自足,那是更加不可能的,除非中国制造彻底凉了,才有可能实现这个目标。我们知道中国是全球最大的芯片市场,消耗了全球三分之一左右的芯片,大约也就是1800亿美元的需求量,这个数字才是中国市场消耗掉的真正芯片量。但是,中国实际上在2023年进口了芯片3500亿美元左右,这个芯片占全球芯片市...