投资百亿美金,五纳米芯片生产背后的技术与市场博弈′

然而，五纳米工艺的实现需要极其精密的制造设备和技术支持。例如，光刻机是芯片制造中最关键的设备之一，其价格动辄上亿美金。除了光刻机，刻蚀机、离子注入机等设备同样价格不菲，整体设备投资占据了生产线投资的绝大部分。二、巨额投资的背后在尹志尧的采访中提到，建设一条五纳米芯片生产线的投资主要集中在设备采购...

国产芯片突破五纳米 订单延续至2026年

在当前全球科技竞争态势日益升温的背景下，芯片产业的自我突破显得尤为重要。2024年很可能成为中国芯片发展的一个重要转折点。随着国内在5纳米光刻机领域取得显著进展，尤其是在RISC-V架构的崛起下，中国正在重塑芯片产业的格局。在经济命脉和国家安全的双重考量下，这是一场不容忽视的技术革命。光刻机，这个芯片制造过...

全球光刻机市场竞争加剧,ASML财报引发关注...

据悉,尼康计划在2026财年之前陆续推出三款半导体光刻机,进一步通过增加氟化氩(ArF)干式、氟化氪(KrF)以及i线三种波长的光刻机,扩展产品线并追赶竞争对手。10月22日尼康宣布,公司正在研发一款面向半导体先进封装工艺应用、“兼具高分辨率及高生产性能”的1.0微米(即1000纳米)分辨率数字光刻机,该设备预计在尼康2026财年...

“光刻机”第一真龙,沉睡三年,有望从17元涨到69元

光刻机,亦称光刻对准曝光机或掩模对准曝光机,是半导体制造领域的关键设备。它不仅在光刻工艺中占据核心地位,还在整个芯片制造过程中起到至关重要的作用。作为微电子和半导体工艺中的核心组件,光刻机被誉为“半导体工业皇冠上的明珠”,其重要性不言而喻。光刻机是一种利用光刻技术进行微纳米加工的精密设备。其工作...

光刻机第一龙头,重仓数亿,与ASML合作,有望大涨240%!

在关键器件方面,公司向上海微电子提供了其半导体领域投影式光刻机用的定位光栅尺部件。第五家:国林科技(300786)子公司国林半导体臭氧设备产品从2022年下半年开始进行市场导入,2023年以来陆续在半导体、面板、科研等行业领域出货验证,该产品用于化学气相沉积(CVD)、原子层薄膜沉积(ALD)、晶圆清洗、污染物及光刻胶去除...

从光刻机讲起,半导体前道设备国产化进度揭秘

2024年9月9日,工信部印发了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024版)》通知,在文件列表中包含国产氟化氪(KrF)光刻机,和氟化氩(ArF)光刻机的内容(www.e993.com)2024年11月2日。9月10日,SMEE(上海微电子)公开一项关于极紫外(EUV)辐射发生装置及光刻设备的新专利。今年以来,以国产光刻机为代表的国产先进半导体前道设备消息频发,其...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

那么,通知文件中的ArF光刻机(光源波长193nm,分辨率≤65nm,套刻≤8nm)极限能做到多少纳米制程?处于什么水平?极限制程能达到多少纳米?综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?-钛媒体官方...

于无声处听惊雷,日本浸润式DUV光刻机赶超ASML提及尼康的NSR-S636E,从发布的关键技术指标看,这款曝光机由于采用增强型iAS设计,可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正,重叠精度(MMO)更高,不超过2.1纳米,分辨率小于38纳米,镜头孔径1.35,对比当前型号,它的整体生产效率可提高10-15%,创下尼康光刻设备的新高,产能(wph)...

「一水」国产光刻机落后20年?回答几个大家比较关心的问题。

第二个问题:为什么我会说这台光刻机可能不是大家想象当中的那台设备?从工信部公布文件的参数来看,这台光刻机的最小分辨率是65nm,最小套刻精度是8nm。在国产光刻机工件台唯一供应商华卓精科的招股书中有这么一段话,公司研发的DWS系列纳米精度运动及测控系统主要适用于「干式步进式扫描光刻机」,可用于65nm及以上...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

于无声处听惊雷,日本浸润式DUV光刻机赶超ASML提及尼康的NSR-S636E,从发布的关键技术指标看,这款曝光机由于采用增强型iAS设计,可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正,重叠精度(MMO)更高,不超过2.1纳米,分辨率小于38纳米,镜头孔径1.35,对比当前型号,它的整体生产效率可提高10-15%,创下尼康光刻设备的新高,产能(wph)...