消息:美最快下周对中国半导体实施新出口限制!国产替代机会来了

最让人振奋的是，中国的芯片产业已经发生了翻天覆地的变化。特别是在光刻机领域，我国已跻身全球仅有的四个掌握先进光刻机技术的国家之列，与荷兰、美国、日本并驾齐驱。数据显示，我国自主研发的光刻机已经能够实现65纳米的制程精度，套刻精度更是达到惊人的8纳米以下。虽然目前主要应用于28纳米及以上制程，但潜力...

终于破冰!氟化氩光刻机有多牛?8纳米工艺可以量产了?

在荷兰宣布扩大光刻机出口管制范围后不久，中国工信部发布的《首台重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，氟化氩光刻机的出现，无疑是中国芯片产业自主创新的又一里程碑。这款光刻机以其先进的深紫外光源技术，实现了对8纳米及以下芯片的制造能力，标志着中国在高端光刻机领域取得了重大突破。氟化氩光刻机...

【突破】工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机...

《目录》中的电子专用装备目录下提到,集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机,光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm;氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。除了光刻机,其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特...

荷兰光刻机限令刚出,中国发布氟化氩光刻机,能突破8纳米限制吗

如今,我国凭借氟化氩光刻机的成功研发,打破了这种依赖,迎来了全新的局面。我国不仅解决了光刻机关键零部件的生产难题,还通过自主创新克服了核心技术壁垒。例如,光刻机的高精度镜头系统、激光光源等关键部件曾被美荷两国控制,而我国在这些技术领域逐步攻克难关。这不仅意味着我国在半导体设备领域的独立性大大增强,...

中国研发光刻机,比ASML早20年,为什么还被美国卡脖子?

例如，上海微电子装备集团（SMEE）在干式DUV光刻机领域取得了重要突破，其最新产品的性能已经接近国际先进水平。此外，还有消息称，某机构宣布，最新的国产光刻机已经达到了65纳米及以下的分辨率，并实现了8纳米的套刻精度。这一成绩标志着中国在干式DUV（深紫外线）光刻技术上取得了重大突破。然而，与行业领头羊ASML...

国产光刻机终于来了!官方已正式发消息,不过

最近呀,工业和信息化部公布的《2024版重大技术装备推广应用指导目录》里,氟化氩光刻机的那些具体技术指标特别显眼地在那儿呢,这消息一下子就在国际上掀起了好多波澜(www.e993.com)2024年11月27日。这不但意味着中国在低端光刻机这块已经完成了国产化的大跨越,还能看出中国有批量生产28纳米以及更厉中国在高科技这一块儿呀,这些年一直在努力找...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

如今随着我国成功制造出65纳米光刻机,西媒的话术又变成了中国不可能生产出28纳米的芯片。他们完全看不到,中国已经成为全球唯一一个拥有光刻机完整生产线的国家。自中美贸易战爆发以来,光刻机这一高端制造设备成为了全球技术封锁的焦点。光刻机被称为芯片制造的“皇冠”,其复杂的工艺和精密的设计使得它成为制造...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

曾几何时,我们在光刻机领域,始终将ASML作为主要的追赶对象,包括此次目录中引发争议的套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机,业内也都是将其与ASML类似的机型作为对比(目的是为了推断出咱们这款光刻机的实际水平),例如我们之前提及的ASML于2015年二季度出货的TWINSCANXT1460K,也有的将其与ASML的TWINSCANNXT1980Fi对比...

全新国产DUV光刻机曝光:“套刻≤8nm”是个什么水平?

这两天不少网友都在热议工信部披露的新款国产氟化氩光刻机光刻机的消息,一时间,各种关于国产光刻机大突破言论满天飞,甚至还有人一看到“套刻≤8nm”就认为这是8nm光刻机,也是令人啼笑皆非。其实,早在6月20日,工信部就曾发布了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》公示,集成电路生产设备一栏当中...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

波长为193nm(纳米)、分辨率≤65nm、套刻≤8nm……日前,工信部的一份文件,再次把国产光刻机推入公众视野,甚至传出国产DUV光刻机突破8nm工艺的“重磅消息”。9月9日,工信部旗下微信公众号“工信微报”推送了工信部于9月2日签发的关于印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》的通知文件,通知...