2.67亿元!上海交通大学采购大批仪器

近日,上海交通大学发布80项仪器设备采购意向,预算总额达2.67亿元,涉及超高效液相色谱仪配二极管阵列检测器和电雾式检测器、高精度表面化学机械抛光机、X-ray空洞检测设备、高功率半导体器件分析仪、电感耦合等离子体质谱仪等,预计采购时间为2024年10~12月。上海交通大学2024年10~12月仪器设备采购意向汇总表...

...陶瓷大灯产品采用国内首创热压共晶技术,低热阻/低结温、性能...

公司回答表示,尊敬的投资者,您好。公司作为专业的车规级LED器件提供商,始终坚持创新引领,战略聚焦于汽车与显示市场。公司正积极布局矩阵大灯研发及生产,陶瓷大灯产品采用国内首创热压共晶技术,低热阻/低结温、性能对标国际一线品牌,均已实现从1~5芯/3~15W量产,具备高可靠性。同时还有开发远近光陶瓷大功率LED、Smart...

中关村论坛首次聚焦高校科技成果转化

4月27日上午,中关村论坛中关村国际技术交易大会高校科技成果转化促进大会在北京工业大学开幕。活动现场,高性能弹性体材料3D打印及其航天应用、力控型轻量化人机柔性协作机器人、半导体芯片结温与电子系统热阻构成无损检测设备等一批科技成果精彩亮相。这也是中关村论坛年会首次设立高校科技成果转化促进大会。数据显示,我国高校专...

技术分享 | 使用热阻矩阵进行LDO热分析的指南

芯片的结温主要取决于其功耗、散热条件和环境温度。因此,通过选择不同的封装版本来降低芯片的结与环境的热阻,是一种降低结温的有效解决方案。目录1.芯片热阻介绍2.使用热阻矩阵进行热分析2.1.对θJA的误解2.2.理解ΨJC&θJC3.在EVM板上进行LDO结温和热阻测试1.芯片热阻介绍由于芯片结构复杂,...

一文搞懂IGBT的损耗与结温计算,图文结合+计算公式步骤

IGBT的稳态结温为:IGBT的稳态结温TJ-IGBT=97.6°C(平均结温)二极管的稳态结温为:二极管的稳态结温TJ-DIODE=85.2°C(平均结温)为了计算峰值结温,我们可以将脉冲值增加到稳态(或平均)温度中。此计算需要上述计算得出的结温,并加上瞬时温度变化。

江西五十铃取得IGBT结温估算方法及系统专利,能够解决现有技术中...

计算所述IGBT模块的损耗;基于所述损耗、热阻热容参数,构建热阻网络模型,得到所述IGBT模块中各层的温度分布,并通过各层的温度分布,估算初始IGBT结温;基于所述温敏电参数,对所述热阻网络模型进行优化,以得到最终IGBT结温,本发明能够解决现有技术中通过红外热成像仪估算IGBT结温,难以探测到IGBT模块内部各层的温度,结温...

硬件工程师需要学会的用热阻Rth(J??A)和瞬态热阻rth(J??A...

二极管的结温指的是PN结的温度,二极管在工作时会产生一定的热量,如果热量不能有效地散失,结温会升高,这可能会影响二极管的性能和寿命。二极管一般有两种工作模式,一种是以长时稳定电流工作,比如以1A电流持续通过二极管。另外一种是以PWM模式工作,比如以50%占空比,间歇性地以1A电流通过二极管。这两种方式的温升计算...

IGBT模块热阻降30%-40%,翠展微电子提出一体化逆变砖模块结构

当器件工作时产生功率损耗,各地方温度分布变化,由于IGBT模块各层材料的热膨胀系数不同,器件在交变的温度冲击下产生交变的热应力,导致热阻增加,结温升高且升高速率加快,严重时会造成焊料层开裂,温度进一步升高,直至器件彻底失效。由温度冲击引起的失效形式主要分为焊料层的疲劳失效以及键合线脱落、断裂失效。

硬核解读维安200℃结温SiC肖特基

结温TJ(JunctionTemperature)是电子设备中半导体芯片的实际工作温度,在实际案例中,它通常高于外壳温度。结温和壳温(CaseTemperature)可以衡量从半导体内封芯片到封装外壳间的散热所需时间以及热阻。一个芯片结温的估计值TJ,可以从下面的公式中计算出来:

蓝海华腾申请芯片结温标定方法专利,提高模块的保护,延长模块的...

金融界2023年12月16日消息,据国家知识产权局公告,深圳市蓝海华腾技术股份有限公司申请一项名为“一种芯片结温标定方法“,公开号CN117236059A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种芯片结温标定方法,包括:将IGBT的热阻网络等效为两个RC网络串联,获取IGBT的预估温升和预估结温;将二极管的热阻网络等效为...