贝茵凯:深耕高端领域,第七代IGBT芯片突破国产化技术壁垒

此外,第七代IGBT采用业界领先的1.6umPitch微沟槽IGBT工艺制程,精度达50nm,可实现更高电流密度、更低综合损耗等,提升产品的整体性能;还采用超薄片工艺(<70um),可实现最高175℃的工作结温,进一步拓宽应用范围。以技术驱动,用产品证明贝茵凯的第七代IGBT产品在性能方面显著优于同类中采用传统制程的IGBT芯片,有效解...

高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析,一文get√

一旦计算出驱动器内部消耗的功率,我们就可以估算驱动器的结温。这可以根据热阻或类似热设计(散热和气流)的特性进行评估。热方程如下:其中TJ=驱动器芯片的结温Rjx=温度上升与总功率耗散相关的热阻(θ)或特性参数(Ψ)Tx=数据手册热特性表中定义的x点温度。热信息如图5和表1所示。封装的热特性是...

韦尔股份取得MOSFET集成二极管监控芯片结温结构专利,实现通过监控...

金融界2024年6月14日消息,天眼查知识产权信息显示,上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构“的专利,授权公告号CN221150008U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构,包括:MOSFET和二极管;所述二极管与所述MOSFET并联设置,所述...

专访魏体伟:研发芯片级两相冲击射流冷却技术将散热效率提升百倍

“液体冷却方案越靠近芯片，芯片结温到流体的总体热阻就会降低，散热效率也会提高。”魏体伟指出，“我们的散热方案直接跳过了两层热界面材料，将芯片背面全部暴露出来，让液体射流直接冲击在芯片背面上，真正实现了芯片级的封装冷却散热。同时，通过系统流阻设计优化，我们还降低了散热系统能耗。换句话说，我们让冷却剂直...

电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析

只有完成实验装置校准后,才开始拍摄热图像。图8和图9所示是GAP1模块在开关频率12kHz时的红外热图像,同时给出了开关内每个芯片的结温测量值。图8:桥臂U在8kHz时的红外热图像下图是桥臂W在开关频率12kHz时的红外热图像。图9:桥臂W在12kHz时的红外热图像...

中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法

功率封装是半导体芯片和其他封装结构的组合,可以提供辅助电气、热和机械的功能[13–15](www.e993.com)2024年11月17日。由于功率芯片会散发大量热量,封装及散热系统对芯片结温的影响较大。为分析安全边界,主需要研究三个问题:(1)SiCMOSFET的热电耦合模型;(2)封装和散热系统的热分析;(3)电气和热学参数的耦合机制。在此前的研究中,...

中关村论坛首次聚焦高校科技成果转化

4月27日上午,中关村论坛中关村国际技术交易大会高校科技成果转化促进大会在北京工业大学开幕。活动现场,高性能弹性体材料3D打印及其航天应用、力控型轻量化人机柔性协作机器人、半导体芯片结温与电子系统热阻构成无损检测设备等一批科技成果精彩亮相。这也是中关村论坛年会首次设立高校科技成果转化促进大会。

希荻微携汽车解决方案亮相AUTO TECH 2024华南展,助力新发展

芯片工作结温(Tj):-40℃~+150℃通过AEC-Q100Grade1认证电源线瞬态干扰测试,满足ISO7637-2规范封装形式:HTSSOP-14L完备的保护/检测功能HL8743—带电流检测的新型车载单/双通道的高PSRRLDO芯片输入电压范围:4.5Vto40V单路/双路350mALDO...

全球芯片正在破局……

Part.1破局第一篇：前沿芯片出世世界首款类脑互补视觉芯片“天眸芯”清华大学类脑计算研究中心团队研制出世界首款类脑互补视觉芯片“天眸芯”，在极低的带宽（降低90%）和功耗的代价下，实现了每秒10000帧的高速、10bit的高精度、130dB的高动态范围的视觉信息采集，该芯片突破了传统视觉感知范式的性能瓶颈，能够...

全球芯片关键技术研究最新进展

利用金刚石的超高热导率,在芯片热点功率密度为~2W/mm2时,集成金刚石散热衬底使得芯片最高结温降低高达24.1℃,芯片封装热阻降低28.5%。先进封装芯片-金刚石具有极为优越的散热性能,基于金刚石衬底的先进封装集成芯片散热具有重大的应用前景。这项研究将金刚石低温键合与玻璃转接板技术相结合,首次实现了将多晶金刚石...