创鑫激光申请芯片结温测量专利,能够有效地对激光芯片的结温进行测量

该芯片结温测量方法应用于激光器泵浦源的激光芯片上,包括:获取各激光芯片的电阻值和电流值,同时获取各激光芯片对应的壳体边缘温度和测温距离,其中,壳体边缘温度为各激光芯片工作时在泵浦源壳体的外端面测量得到的,测温距离为各激光芯片与外端面之间的距离;基于各激光芯片对应的电阻值、电流值、壳体边缘温度和测温距离计算...

功率器件热设计基础(三)——功率半导体壳温和散热器温度定义和...

在数据手册上的瞬态热阻曲线上可以读到芯片的热时间常数,0.2秒左右,但是整个散热系统的时间常数却非常大,譬如在20秒左右,因此NTC可以检测较缓慢温度变化和缓慢过载情况,对短时结温过热保护是无能为力的,更不能用于短路保护。我们可以有两个简单的说法:1.由于连接芯片结到NTC的路径RthJNTC上有温度差,热敏电阻NTC...

英飞凌第二代HybridPACK?? Drive 扩展结温至200℃,以提升电动车...

通常IGBT芯片面积比SiCMOSFET大,且物理上需要独立续流二极管FWD配合构成一个开关,有更多绑定线和键合点存在,容易测量结温时候去移动绑定线位置,用热成像仪读各个芯片表面温度,用平均等效结温来判断,二者结温可以分开进行评估和分析。但对MOSFET而言通常要采用同步整流模式来完成续流,单独一个芯片实现一个完整的开关功能,...

导热散热展|芯片,太热了!半导体散热迫在眉睫

例如，纳米银烧结技术在高热通量条件下的温度降低为14.1℃，而AuSn焊接技术的温度降低仅为5.2℃。相比之下，金刚石集成封装在相同条件下实现了更大的温度降低，表现出了更优越的散热性能。与未集成金刚石的封装相比，集成了金刚石的封装在多个高热通量加热条件下，芯片的最高温度降低了约24.1℃，热阻降低了28.5...

芯片,太热了

性能下降:过高的温度会导致芯片性能下降,甚至出现死机、蓝屏等故障。可靠性降低:高温会加速电子元件的老化,缩短设备的使用寿命。安全性隐患:极端情况下,过热可能引发火灾等安全事故。能源浪费:过多的电力消耗不仅增加了运营成本,还加剧了能源危机。不难看到,若不能及时有效地散热,过高的温度不仅会影响芯片的性能和...

【增长】台积电预计2024年台湾半导体产值同比增长22%;

在上述情形中,尽管环境温度本身可能造成损害,但由于芯片活动或系统冷却设计的原因,硅芯片的结温实际上可能会升高两倍(www.e993.com)2024年11月17日。因此,为了防止汽车电子元件(如高级驾驶辅助系统[ADAS])出现故障、确保安全并维护更广泛的功能,实施观察和早期诊断至关重要。再以这一场景为例,设想一位电动汽车车主在酷热的天气下进入充电站为汽车...

集成式热管理的两个关键,驱动和控制

此外,NSUC1610支持12V的GPIO接口,可以实现PWM控制。双路温度传感器分别为位于功率侧做过温热关断和位于低压侧做芯片温度检测。满足最高级车规认证标准,即Grade0,对应的温度区间为-40°C-150°C,为此NSUC1610自身的结温达到175°C。在EMC方面,可以实现CISPR25class5标准要求。

散热问题,困住芯片大厂

“客户可能会说,‘它必须能在室外使用,我们在凤凰城,那里的温度是125°F,’”泰特说。“或者它必须在加拿大埃德蒙顿-40°F的环境下工作。你必须能够在很宽的温度范围内工作,所以你必须设计你的芯片,弄清楚它的所有部件,对封装和冷却进行热分析,并了解客户将如何使用它。然后,你必须反向思考,了解你可以在芯片...

新一代充电技术:立锜RT7209芯片,为电子设备带来更快、更稳的充电...

在安全性方面,RT7209支持可编程的过流保护、恒定电流保护、过温保护,支持自适应输出过压保护、输出欠压保护,推荐的结温范围为??40℃至125℃,工作环境温度范围为??40℃至105℃。支持CC1/CC2/D+/D-过压保护与内部过温保护,适用于多种消费电子的充电适配器之中,采用WQFN-28L4x5封装。

全球芯片关键技术研究最新进展

制作8英寸蓝宝石上GaN芯片图图片来源:IEEE官网资料新型ECMP技术目前在抛光工艺上,成本、环保等方面仍是制约碳化硅衬底广泛应用的瓶颈。传统CMP(化学机械抛光)需要使用大量的抛光液材料,抛光液成本占抛光环节成本比例较大,这不仅增加了生产成本,也对环境造成了负担。