MOS管常见的几种应用电路

让MOS管工作在放大区,具体仿真结果可在上节文章看到。二、时序电路中作为反相器使用下图示例电路中,芯片1正常工作时,PG端口高电平。如果芯片1、芯片2有时序要求,在芯片1正常工作后,使能芯片2。可以看到芯片2的使能端初始连接VCC为高电平,当芯片1输出高电平后,(关注公众号:硬件笔记本)MOS管导通,芯片2的使能端...

反激电源电路分析

单端反激式开关电源如图所示,电路中所谓的单端是指高频变化器的磁芯仅工作在磁滞回线的一侧。所谓的反激,是指开关管导通时,高频变压器T初级绕组的感应电压为上正下负,整流二极管D1处于截止状态,再初级绕组中存储能量。当开关管截止时,变压器T初级绕组中存储的能量,通过次级绕组激VD1整流和电容C滤波后向负载输出。

上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用

高击穿电压:保证开关MOS能够不被击穿;低内阻:导通状态下产生的功率小,发热少;低热阻:正常工作时发热量小;高雪崩耐量:发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰,高雪崩耐量可使MOS管不被击穿;短路电流能力强:短路瞬间会产生较大电流,MOS管需要有承受较大电流的能力。贝岭型号推荐:04贝岭电源IC器件在...

为什么在MOS管开关电路设计中使用三极管容易烧坏?

我们一般会用一个三极管去控制,如下图!MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,电...

8种开关电源MOS管的工作损耗计算

MOSFET的工作损耗基本可分为如下几部分:1、导通损耗Pon导通损耗,指在MOSFET完全开启后负载电流(即漏源电流)IDS(on)(t)在导通电阻RDS(on)上产生之压降造成的损耗

MOS管及其外围电路设计

注1:图中的Rpd为mos管栅源极的下拉电阻,其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路,一般取值在10k~几十k这一数量级(www.e993.com)2024年11月4日。由于该电阻阻值较大,对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响,因此在后文分析mos的开关瞬态时,均忽略Rpd的影响。注2:Cgd,Cgs,Cds为mos管的三个寄生电容,在考虑mos管开关瞬态时,这三...

更适合大功率供电的选择,四款可控硅获高速电吹风采用

MOS管和可控硅都是各类开关电源中常见的两种功率器件,其中MOS管的工作原理则基于栅极电压的变化,其栅极与互补介质氧化层之间的电容可以通过施加不同的电压来进行控制。MOS管开关速度更快,被用于构建逻辑门、存储器芯片和微处理器等数字电路。但可控硅的工作原理基于PN结组成的四层结构,该结构在正向电流注入时会形成一...

【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器

另一种工作状态是MOS管的高侧状态从高电平变为低电平时,这是漏极衬底二极管开始导通的时间,MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C...

吃透MOS管,看这篇就够了

第三个原因是导通后,沟道有电阻,过主电流,形成发热。主要考虑的发热是第1和第3点。许多mos管具有结温过高保护,所谓结温就是金属氧化膜下面的沟道区域温度,一般是150摄氏度。超过此温度,mos管不可能导通。温度下降就恢复。要注意这种保护状态的后果。但愿上述描述能通俗的理解mos管,下面说说几个约定俗成电路:...

MOS管开关电路设计,用三极管控制会烧坏?

我们一般会用一个三极管去控制,如下图!MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。