...器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度...
长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度,减缓了电场强度并改善了漏电金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“,授权公告号CN110299324B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示,本发明提出一种...
吃透MOS管,看这篇就够了
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS管...
科学家首次在电子掺杂的单晶石墨烯中观测到超导电性
研究团队通过优化样品制备方法,成功制备出高质量双层石墨烯与二硒化钨异质结样品,通过栅极静电调控,揭示了该系统中空穴掺杂超导随位移电场和载流子浓度变化的完整相图,并在电子掺杂的情况下观察到超导态。这是在单晶石墨烯中首次观察到电子掺杂的超导电性。空穴端和电子端的超导态强度均可通过外加的垂直位移电场进行有效...
国科大张凤娇/化学所狄重安合作,Nature Nanotechnology之后,再发...
它不仅使表皮生长因子受体的检测浓度达到5.74fgml-1的超低限,更重要的是,它还产生了前所未有的超过200的再生周期。作者还通过创建一个8×12诊断药物介导的有机电化学晶体管阵列,进一步验证了该设备在生物医学应用中的潜力,并且该阵列对临床血液样本具有出色的检测统一性。相关工作以“Adrug-mediatedorganicele...
硫化锌等其他Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是什么?它的退火研究结果如何
每次退火后样品冷却到名义温度4.2K,测阴极射线光谱.阴极射线光谱的激发条件是250μA·cm-2,10kV.发光经800Hz机械斩波后,经1米光栅单色仪分光,色散为16A/mm,分光后信号用光电倍增管,锁相放大器检测,记录.实验结果适当退火后样品在4.2K下可见区有四组发射谱线,分别在665nm,551nm,411nm和385nm附近,它们分别...
量子传感器,怎样用于生物医学?| 综述荐读
左图:用磁性纳米粒子(MNP)标记并用荧光染料染色的SKBR3癌细胞的明视野图像与荧光图像叠加(www.e993.com)2024年9月11日。右图:同一视场显示MNP标记细胞的NV磁成像。c)利用NV-金刚石显微镜获得的天然血色素晶体的磁场图像。视场为39×39??m??。d)上图:NV-金刚石显微镜用于单神经元动作电位(AP)磁场测量的活体胶衣虫(Myxicola...
晶圆衬底上为什么要做外延?|晶体|材料|外延层_网易订阅
均匀的晶体结构:外延生长可以保证一个更均匀的晶体结构,减少衬底材料中的晶界和缺陷的影响,从而提高整个晶圆的晶体质量。2.改善电气性能优化器件特性:通过在衬底上生长外延层,可以精确控制硅的掺杂浓度和类型,优化器件的电气性能。例如,外延层的掺杂可以精确调节MOSFET的阈值电压和其他电学参数。
...AFM》:可用于大脑慢性化学检测的全聚合物纤维有机电化学晶体管
PF-OECT的传输曲线是在–0.6V的漏极电压(VDS)和0到1V的栅极电压(VGS)范围内测试的。此外,为了表征其用作晶体管的能力,VDS从0扫描到–1V,VGS设置为0、0.2、0.4、0.6、0.8和1V。在10到1200??m范围内观察到漏极电流的变化与AA浓度的对数之间存在线性关系,具有良好的重现性,表明灵敏度为...
晶体管的发展史:技术如何逼近极限?
MOS晶体管是具有端子漏极,源极,栅极和主体(基板)的4端子设备。图1显示了NMOS的3维结构。NMOS晶体管形成在p型硅基板(也称为主体)上。在器件的顶部中央部分,形成了一个低电阻率的电极,该电极通过绝缘体与主体隔开。通常,具有n型或p型重掺杂的多晶硅被用作栅极材料。在此,二氧化硅(SiO2或简单地为氧化物)用作...
中国科学院院士杨德仁:掺镓硅晶体已经成为光伏主流品种
第三,现在走的第三条路是更换掺杂剂,我们解决硼的问题。原理上讲,硅晶体当中掺入三价的,除了硼之外,还有硼、铝、镓、锳、铊,都可以做成P型半导体,为什么不能用铝,或者不能用英、不能用镓或者铊,这是在国际上2012年做的图,左边掺了铝、掺了镓和铟和不同浓度的硼,黑色的线是原始的少子寿命。凡是掺硼的...