仅44天接收! 最新Science 全面解读!具有大自旋霍尔角和共线自旋...
要点3:自旋霍尔角测量作者通过使用标准的霍尔棒器件来确定钙钛矿样品的θsh(图3C)。在本实验中,作者在纵向充电电流存在的情况下检测到了自旋相关的横向电压(VT)。Hall-bar器件受到垂直于样品的CP光入射。将激光光斑固定在霍尔十字架的中心位置,以激发在纵向电场E||下加速的面外自旋极化载流子,并通过逆SHE产生...
Nat. Mater.:高迁移率有机半导体的导带结构和部分修饰的极化子形成
尽管在1990年代就发现了价带(最高占据分子轨道(HOMO))带结构,但尚未通过实验观察到导带(最低未占据分子轨道(LUMO))。近日,日本千叶大学HiroyukiYoshida,筑波大学HiroyukiIshii等采用角分辨低能逆光电子能谱来揭示并五苯(一种典型的高迁移率有机半导体)的LUMO能带结构。研究表明,从LUMO导出的传输积分...
西安交通大学丨王峰,郭烈锦等:光催化CO2还原制碳氢燃料系统优化...
传统的光催化剂,如TiO2[30,46]、ZnO[47]等由于其合适的导带和价带位置,通常具有同时光催化CO2还原和H2O氧化的能力。但是,较宽的带隙只能吸收利用紫外线,限制了整体太阳能利用效率。因此,选用带隙较窄且带边位置合适的半导体,可将光吸收从紫外波段扩展至可见波段甚至近红外波段。例如,Yu等[48]通过...
光芯片行业专题报告:从II~VI和Lumentum看光芯片国产化
直接带隙是指在能量-波矢图中,元素电子的价带底与导带顶对应的波矢相同,反之,若二者波矢有异,则称为间接带隙。对于直接带隙结构,电子在价带与导带间的跃迁只需满足能量守恒;对于间接带隙结构,由于价带顶与导带底的波矢不同,需在水平方向施加动量方可使电子完成跃迁,也即:电子跃迁过程涉及声子的吸收与发射—...
光电探测器的未来扑朔迷离?
光电探测器的基本工作机理包括三个过程:1.光生载流子在光照下产生;2.载流子扩散或漂移形成电流;3.光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时,如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即<hv,则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。光电探测器的发展方向...
石墨烯纳米结构的原子级精准构造
低能电子衍射(LEED)阵列显示,相对于氢化前的石墨烯样品,在石墨烯对应的点阵位置出现了一套新的格点(图3(b))(www.e993.com)2024年9月17日。拉曼光谱测量中发现,石墨烯出现被氢化的特征,并且相对于氢化前的石墨烯样品,氢化后石墨烯的G和2D特征峰恢复,预示着Ru基底与石墨烯之间的界面有氢原子存在并有效地减弱了石墨烯与金属基底的强相互作用。
超宽禁带半导体的卓越设计
被束缚的电子要成为自由电子或者空穴,就必须获得足够能量从价带跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。半导体材料基本物理性质均与禁带宽度相关,禁带宽度越窄,材料的物性倾向于金属,反之则倾向于绝缘体。在现有半导体材料中,根据禁带宽度不同可分为:窄禁带半导体材料(包含锗、硅及GaAs等)、宽禁带半导体材料(SiC...
照明半导体的导电机理
E一表示导带底,E+表示价带顶。一般,施主能级离导带底较近,即杂质的束缚态能级略低于导带底,这样就可在常温下由于束缚态中的电子激发到导带而使导带中的电子远多于价带中的空穴。这种主要由电子导电的半导体,称为N型半导体。一般,受主能级离价带顶较近,即在半导体中掺入某一杂质而使其束缚态略高于价带顶时,就...
光电传感器工作原理、分类及特性详解(收藏)
在投射可视光的类型中,投光光束是眼睛可见的,便于对检测物体的位置进行调整。光电传感器的选型光电传感器使用前的选型需考虑下列因素:检测物体1、对射型(物体被测面尺寸)2、回归反射型(物体被测面尺寸,光泽反射能力强弱)3、扩散反射型(物体被测面尺寸,被测物体颜色)...
准金属的应用有哪些-铜资讯-金投期货-金投网
不需要热激发,价带顶部的电子会流入能量较低的导带底部。因此在绝对零度时,导带中就已有一定的电子浓度,价带中也有相等的空穴浓度。这是半金属与半导体的根本区别。但因重叠较小,它和典型的金属也有所区别[3]。这类材料的禁带宽度很小,因此被用来制作红外探测器件。红外光的波长为10微米左右,对应的光子能量为...