我国EUV光刻机光源实现突破,7nm关键技术已掌握
这一发明表明,上海微电子已掌握了EUV光刻机中极紫外线发生装置的核心技术。极紫外线作为EUV光刻机的光源,是制造过程中最关键的技术之一。全球能生产此类设备的国家非常少,而具备量产能力的只有被荷兰ASML收购的美国公司Cymer。鉴于美国对此类关键技术的出口限制,我们只能依靠自主研发。本来估计我国攻克极紫外线发生装置...
国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?
第四代为ArF型,属于深紫外光源(DUV),采用193nm的ArF光源,分为步进扫描投影式光刻机(干式)和浸没式步进扫描投影式光刻机(湿式),分别对应130-65nm和45-7nm工艺(38nm以下开始使用多重曝光工艺);第五代为EUV型(极紫外),为步进扫描投影式光刻机,采用13.5nm的EUV光源,对应7-3nm工艺。需要说明的是,为了进一步...
光刻机的存在,对我国有着怎样的影响?
DUV光刻机用的是深紫外线,光源波长193nm,靠的是光的折射原理;EUV光刻机则是利用光的反射原理的极深紫外线,其光源波长为13.5nm。由于光源波长不一样,EUV光刻机的分辨率能更高些,这样就能符合更先进制程的要求了。当下,DUV光刻机能应对7nm以及7nm以上制程的需要,EUV光刻机则能满足10nm以下晶圆制造的要求...
关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事
中国终于有了自己的7nm光刻机,可以造出自己的7nm芯片,不怕再被卡脖子了。可是,还有人说:别激动。只是误会。那个“8nm”不是重点,它上面那个“65nm”才是。国产芯片还只在65nm的水平,努努力最多也就能够到28nm,离7nm还远得很。两种声音,两种节奏。不知道,你听完是什么感觉?“造出7nm芯片”,到底是个什...
美国科技战败北!官宣了:套刻8纳米及以下光刻机面世
光刻机制造有多难,打完这三个比喻就知道了:首先是光源的精确,光刻机的光源就如同一个能在针尖上雕刻一朵花的艺术家,每一次落“光”都需要达到纳米级别的精度;再说说反射镜的平滑,假设差不多半米直径的镜面是德国国土面积那么大,那么其局部的凹凸不能超过1毫米;还有工作台的移动,犹如端着一碗汤进行蛙跳,...
新型国产光刻机问世,“正能量”谣言满天飞,结果仍然落后18年
目前,全球最先进的光刻机已经采用了极紫外(EUV)光源,其波长仅为13.5nm,远远小于中国新型国产光刻机所使用的248nm和193nm光源(www.e993.com)2024年10月18日。这意味着,在同样的工艺条件下,EUV光刻机能够制造出更小制程、更高性能的芯片。因此,尽管中国新型国产光刻机的问世无疑是一个令人振奋的消息,但我们也必须清醒地认识到其中的差距。
国产光刻机突破28nm了吗
一句话总结,光刻机就是通过特殊的工艺,将图案微缩之后,投影在硅晶圆上并刻蚀晶体管电路,进而实现芯片制造。光刻机依照光源不同,可以分为UV,DUV以及EUV三大类型。每个光源类型依照产生光的方式不同也有所区分,各种光源波长可参照下表:*表1,不同光源类型的光刻机对应的核心技术指标...
替代EUV光刻机光源,日本方案详解
需要一条光束线将EUV光从EUV-fel光源传输到LSI晶圆厂的光刻机。正常入射EUV-FEL光的每脉冲能量密度约为10mJcm??2,横向尺寸为~1mm2,在距离FEL出口3m处的FWHM半波带宽度脉冲长度为~100fs。它低于Mo/Si多层和Si的烧蚀阈值,在SACLA-BL1使用两个光源,等离子体激光器和EUV-FEL实验估计的烧蚀阈值约为...
光刻技术,有了新选择
光刻机所使用的光源波长从最早的紫外光源(ultraviolet,UV),如g线(波长436nm)、i线(波长365nm)光源,发展到以KrF(波长248nm)、ArF(波长193nm)为代表的深紫外光源(deepultraviolet,DUV),再到现在波长13.5nm的极紫外光源(extremeultraviolet,EUV)。
光刻技术,有了新选择_投资界
光刻机所使用的光源波长从最早的紫外光源(ultraviolet,UV),如g线(波长436nm)、i线(波长365nm)光源,发展到以KrF(波长248nm)、ArF(波长193nm)为代表的深紫外光源(deepultraviolet,DUV),再到现在波长13.5nm的极紫外光源(extremeultraviolet,EUV)。