外媒:中国芯片制造落后5年,HBM落后10年,光刻机落后15年

外媒认为，至少是15年以上的差距，因为中国仅制造出了DUV光刻机，连浸润式光刻机技术，都没有掌握，而ASML掌握浸润式光刻机技术已经超过了20年，考虑到现在技术进步的速度，所以外媒认为，这样算下来，在光刻机方面至少是15年以上的差距。

台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

在杨光磊看来,只要多次“曝光”技术,国产光刻机制造8nm芯片的可能性逐渐增强。华为的清醒背后但目前华为却有不同的观点,华为轮值董事长徐志军首次公开承认,中国芯片制造能力有限,阻碍了开发先进计算解决方案的能力。这凸显了华为在追求更强大计算能力方面面临的重大瓶颈。徐直军在华为全联接大会2024上强调,人工智能...

光子芯片取得重要突破,中国或将绕开EUV光刻机瓶颈

避免了对EUV光刻机的依赖，能够更灵活地应对国际市场的变化。通过自主研发光子芯片，中国有望在不久的将来实现“弯道超车”，摆脱被动跟随的局面。这一进展不仅能够降低对外技术的依赖，还将增强中国在全球芯片市场的竞争力。

深度解读:美国“芯片法案”,对中国芯片产业究竟意味着什么?

美国芯片设备厂商泛林半导体主席兼CEO蒂姆·阿切尔在7月27日的财报会上表示,美国对华技术出口管制范围将进一步扩大至生产14纳米以下芯片的代工厂。芯谋研究首席分析师顾文军对《环球时报》记者表示,“芯片法案”的规定与美国政府近几年来对中国半导体企业的一系列制裁结合起来,再一次说明美国将中国半导体视为竞争对手,着...

美卖力施压,中国造出来了,德媒:中国突破7纳米芯片光刻机技术

在9月14日，工信部公布了一个重大技术装备推广应用目录，公布了国产氟化氩光刻机，光源193纳米，能实现分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm，主要应用于制造7纳米及以上工艺节点的芯片；另外哈工大公布“高速超精密激光干涉仪”研发成果，被认为是解决7nm以下光刻机难题的关键技术之一，还有长春光机所也在EUV光源系统上取得...

未来中国如何攻克先进制程芯片制造技术封锁难题?

未来中国将如何攻克先进制程芯片制造技术难题?答案是产业协同(www.e993.com)2024年11月9日。芯片不太适合集中式开发,而更适合分布式开发。如ASML,光靠一家ASML不行,要EUV光刻机,需要蔡司搞定镜片技术,台积电发明浸没式光刻技术,美国企业搞定光刻机光源技术。可以说ASML是欧美工业集大成者。为什么要分布式创新?因为所涉及的每个领域都需要足够高的专...

比芯片更难的技术,被美日全垄断,中国企业连山寨版都造不出吗?

比芯片更难的技术,被美日全垄断,中国企业连山寨版都造不出吗?目前,我国的科技水平已经大部分都属于世界一流和准一流。然而有一个产品,却是中国的短板。它比芯片还难造,如今已经被美、日等国全面垄断。我国国内的企业,甚至连山寨版都根本造不出来。

美国芯片禁令持续升级下,中国是否已经陷入“中等技术陷阱”?|钛...

在半导体、AI、生物医药等前沿技术领域,大市场没有出现如微软、英伟达这样大的科技巨头,而且中国严重缺乏原创性技术,与世界一流制造业强国相比,中国制造仍然大而不强。同时,国内上市公司研发费用低于美国企业,投融资机构的募投管退全面下降,前沿科技公司面临一定的融资难、上市难等。

美被封锁?中国这一技术全球领先,老美追赶15年难以超越

作为目前全球最顶尖的芯片技术,一旦拥有更高精度的光刻机,就能够实现相关领域的技术突破,美国一直百般阻挠我国,不允许荷兰阿斯迈提供先进的光刻机设备,目的就是想从芯片领域,控制中国的高精尖科技发展。一旦中国KBBF激光晶体技术取得更高的突破,不排除未来中国能够生产出更先进的光刻机,那么美国处心积虑所作出的阻挠...

中国如何突破算力“卡脖子”

集成芯片是指先将晶体管等元器件集成制造为特定功能的芯粒(Chiplet),再按照应用需求将芯粒通过半导体技术集成制造为芯片。Chiplet技术可以实现更大的芯片面积,提升总算力;通过chiplet/IP等的复用和组合,提升芯片的设计效率;把大芯片拆成多个小尺寸chiplet,提升良率,降低成本;不同芯粒可以通过不同工艺完成制备,通过异构...