中欣晶圆申请改善背封硅片背面晶点的工艺方法专利,解决了背封硅片...

专利摘要显示,本发明涉及一种改善背封硅片背面晶点的工艺方法,所属硅片加工技术领域,包括如下操作步骤:第一步:对硅片背面进行BSD加工,将含有SiO2的浆料通过压缩空气喷在硅片背面,在硅片背面产生背损伤,使之产生缺陷,进行外吸杂。第二步:完成BSD后进行SC1药液清洗,在SC1药液中以65℃温度下清洗5～10min。第三步:在65...

海纳股份申请超薄氧化硅片及其加工工艺专利,专利技术能达到减小...

金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,浙江海纳半导体股份有限公司申请一项名为“一种超薄氧化硅片及其加工工艺“,公开号CN117542725A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明涉及半导体硅片生产制造技术领域,具体地说,涉及一种超薄氧化硅片及其加工工艺。该超薄氧化硅片由硅片经抛光、氧化加工制成,包括超...

众合科技:拥有完整的半导体硅片制备工艺和3-8尺寸的硅片生产线

格隆汇6月20日|众合科技在互动平台表示,公司拥有完整的半导体硅片制备工艺和3-8尺寸的硅片生产线,可实现从晶体生长、切片、研磨、抛光的全链条生产。在抛光片领域,海纳子公司日本松崎已经是东芝、富士电机、瑞萨电子等全球知名企业的稳定供应商,已在中小尺寸硅片市场形成较强的竞争力。主要竞争对手为沪硅产业、立昂微...

弘元绿能获得发明专利授权:“一种单晶薄硅片的粘贴抛光工艺”

证券之星消息,根据企查查数据显示弘元绿能(603185)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种单晶薄硅片的粘贴抛光工艺”,专利申请号为CN202210578251.2,授权日为2024年6月4日。专利摘要:本发明公开了一种单晶薄硅片的粘贴抛光工艺,属于硅片加工领域,一种单晶薄硅片的粘贴抛光工艺,包括有以下步骤:S1:破碎石蜡、蜂蜡和松...

【名额有限】超硅将分享《大硅片制造的前沿技术》,第七届半导体大...

自主研发并制造了关键的晶体生长装备(公司自2016年开始投入生产的所有核心激光晶体生长装备、200毫米和300毫米单晶硅晶体生长炉系统等核心设备全部是由公司独立研发与规模化制造);此外,公司还定制化开发了关键300毫米硅片加工工艺装备;自主开发了SOI集成制造核心关键装备(如排他性地联合研发制造了大束流离子注入设备、自主开...

2024年全球及中国半导体硅片市场研究报告 - 行业产销、供需

半导体级多晶硅通过在单晶炉内的晶体生长,生成单晶硅棒,这个过程称为晶体生长(www.e993.com)2024年11月24日。半导体硅片则是指由单晶硅棒切割而成的薄片。下游在硅片上进行光刻、刻蚀、离子注入等后续加工。②半导体硅片的主要种类半导体硅片通常可以按照尺寸、工艺进行分类。半导体硅片的尺寸(以直径计算)主要有2英寸(50mm)、3英寸(75mm)、4英寸...

半导体硅片行业专题报告:半导体硅片景气度向好,国产厂商前景可期

半导体硅片的生产流程较长，且所涉及的工艺种类繁多，整体制备流程较为复杂，各个环节包括拉晶、硅锭加工、成型、抛光、外延、清洗出货等。在整个硅片加工流程中最重要的就是拉晶环节，这一技术环节是决定硅片性能的关键。拉晶环节对单晶硅的制备方法通常分为直拉法（Czochralsk，CZ法）和区熔法（Float-Zone，...

携CMP和ECMP设备亮相集微大会,众硅科技已获大硅片厂商订单加持

据SEMI数据表明，在全球半导体制造材料市场份额中，硅片占比份额最大达36.64%。大硅片对于先进制造来说非常关键，随着逻辑存储的不断发展，对硅片表面的要求越来越高，而大硅片制造中的化学机械拋光CMP工艺指标包含低表面粗糙度/缺陷度、晶圆平整度、低颗粒污染、低金属污染等，从晶圆加工角度来看，工艺要求极为严苛。

...更适合“大尺寸+薄片化”硅片切割,已突破碳钢线极限并具有持续...

答:钨丝线具有抗拉强度高、韧性佳、破断力高、耐疲劳、耐腐蚀的特点,更适合“大尺寸+薄片化”硅片切割,已突破碳钢线极限并具有持续细线化的可行性。公司采用自研的核心设备匹配先进生产工艺,将为市场提供更优质的材料选择,为客户降本赋能,创造价值。公司正在积极推进相关产能扩建,目前一期量产项目投产并实现批量销售,...

“六边形战士”隆基绿能泰睿硅片上市 光伏行业供需变革已来

每个步骤都需要更高的工艺控制和更精密的加工设备，这对硅片厂商新技术的规模化生产提出了较高的要求。硅片厂商和设备厂商需要深度合作，创新生产技术、改良硅片制造设备，将规模化生产成本控制在市场可接受的范围内，从而将实验室的成果快速转化成生产力，实现从而量产推广，这需要快速且可行的方案。同时，光伏硅片的生产...