《Acta Materialia》:离子辐照下高熵合金的裂纹愈合机制!

裂纹HEA在辐照下的自愈合能力与裂纹优先吸收间隙有关。裂纹的修复机制源于第一次级联后热峰值散热引起的高动能原子再结晶。间隙物扩散到裂纹区域,同时相应的空位积累并形成大尺寸空位簇,在愈合的裂纹周围产生堆叠断层和复杂的位错网络。位错网络的复杂性因后续级联中的空位吸收而增强。此外,这些位错抑制了点缺陷的扩散...

浙江大学赵保丹&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p...

作者进行了DFT计算以获取关于掺杂机制的信息。与传统半导体(例如硅)不同,原始(未掺杂)钙钛矿的电导性通常由制备过程中形成的缺陷决定。这一过程也称为自掺杂。由未掺杂钙钛矿样品中空位和间隙缺陷的形成能(分别见图2a和补充图4)可得出溴化物空位(VBr)的形成能较低为1.57eV,VBr被认为是未掺杂钙钛矿中的主要缺陷类型。

武汉理工唐新峰教授团队:热电材料物理化学

发现界面电荷效应能有效调控载流子浓度、优化电子能带结构,以及拓扑表面态优化电输运的新物理机制。发现高密度界面特别是纳米尺度界面是散射宽频声子并大幅降低晶格热导率的有效途径。实现了多种热电材料性能的大幅度优化,特别是在Cu2Se/BiCuSeO复合材料中,发现两相中Cu空位形成能对费米能级依赖关系的差异性,导致载流子...

谁能替代铜互连?_腾讯新闻

元素金属含有空位(或空位团簇)缺陷或杂质。在相关金属的典型多晶高质量薄膜中,空位和杂质限制了低温下的电阻率,但在室温下通常可以忽略不计,在室温下,声子、晶界和表面的散射占主导地位。然而,对于复合金属来说,情况就大不相同了。合金是一种本质上无序的材料,其晶格上不同原子的分布是随机的。由此产生的晶体因...

全球芯片关键技术研究最新进展

观察各方研发动态,据全球半导体观察不完全统计,今年来共有超30项关键技术取得重要进展,涉足类脑芯片、光子芯片、人工智能芯片、第三/四代半导体(碳化硅/氮化镓/氧化钾/金刚石等),以及光刻胶材料、存储器、晶体管器件等方面。破局第一篇:前沿芯片出世

黄劲松Science全面解读:强键合空穴传输层减少钙钛矿太阳能电池的...

1.报道了p-i-n结构钙钛矿太阳能电池在未经过滤的阳光和LED的情况下的降解机制(www.e993.com)2024年11月20日。2.引入芳香族膦酸EtCz3EPA,通过磷酸基与TCOs结合以及氮原子与钙钛矿中的铅相互作用,增强了钙钛矿/HTM/TCO区域的键合。3.EtCz3EPA与强空穴提取聚合物的混合HTM保持了高效率并提高了钙钛矿器件的紫外线稳定性,钙钛矿微型模组在户外运...

颠覆性技术!中国青年科学家联手,把“废塑料”变成“香饽饽”,登上...

为了解释相变机制,作者首先对这两种相的详细结构特征进行了表征。通过使用电子顺磁共振(EPR)光谱,作者在3C-SiC和6H-SiC中都检测到了硅空位。3C-SiC和6H-SiC的EPR线形不同,表明硅空位的环境不同(图3c)。多次FCR过程中的高温(2,900°C,150V)会导致硅原子不断蒸发,从而使6H-SiC中的硅...

人民日报一天三赞济南:推出“半份菜”;优化就医流程;帮扶震区复工...

在采购与配送环节，集中备料降低损耗。“我们通过从田间到餐桌的一站式服务，实现精准采购、集中管控、合理配餐。”李亚东介绍，“比如根茎类蔬菜经过初步清洗、削皮后，要再次清洗，然后加工成丝、块等，在风干沥水机中沥干表面清水，才能分装、存储、运送。”在原材料储存环节，尽量实现“零库存”状态。李亚东说：“...

Progress in Materials Science:全无机CsPbX3的结晶调控和缺陷...

要点1:CsPbX3薄膜缺陷的类型和对器件性能的影响根据缺陷能级在带隙中所处的位置,可以将点缺陷分为浅能级缺陷和深能级缺陷。浅能级缺陷位于导带底或价带顶附近,具有较低的形成能,一般由空位缺陷或间隙缺陷形成。深能级缺陷位于禁带的中间能级,有较高的缺陷形成能,通过形成陷阱中心捕获电子和空穴,从而引发非辐射复合...

最年轻的国家最高科学技术奖得主!薛其坤院士,部分成果精选!|量子|...

在这种Eu-Nb:STO(001)上的单层FeSe薄膜表现出普遍扩大的超导间隙,表明cooper配对增强,电子均匀性提高。同时,单层FeSe中Fe空位的线缺陷显著减少并破碎成碎片,抑制了孤立畴的形成,提高了空间均匀性。作者认为,这些因素导致了在传输测量中观察到的变窄转变。