吃透MOS管,看这篇就够了
上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论:1)MOS管是一个由...
超详细|开关电源电路图及原理讲解
由于它的栅极处于不导电状态,所以输入电阻可以大大提高,最高可达105欧姆,MOS管是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。2、常见的原理图:3、工作原理:R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器,和开关MOS管并接,使开关管电压应力减少,EMI减少,不发生二次击穿。在开关...
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
第一个条件是,低电平逻辑电压(本例中为3.3V)需要连接到MOS管的源极,高电平逻辑电压(本例中为5V)必须连接到MOS管的漏极引脚。第二个条件是,MOS管的栅极需要连接到低压电源(本例中为3.3V)。1、双向逻辑电平转换器的仿真通过使用仿真可以了解逻辑电平移位器电路的完整工作原理,正如下面看到的,在高电平到低...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小,这就可以得出如下结论:MOS管是一个由改变...
常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻
下面来介绍几种产品设计中常用的MOS做电源开关的电路。1、NMOS低侧电源开关低侧驱动,最简单最实用,但不一定适用所有的电路,会对部分电路的工作有影响由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异,导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS,所以设计中尽量优先选择NMOS。
英飞凌收购GaNSystems后,带来了哪些惊喜?
程文涛表示:“一般的氮化镓晶体管产品多为单向开关,但现在越来越多的拓扑结构需要有一个理想开关,即两边都能导通或关闭,并且还需要极快的开关速度,之前的做法是采用两颗MOS管器件来实现(www.e993.com)2024年9月9日。但现在随着CoolGaN??BDS面世,只用一颗器件就能实现所需功能。”
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
4、MOS管的工作原理解题思路MOS管是指绝缘栅型场效应管,下面以增强型NMOS来介绍其工作原理。在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区,形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G,通常用金属铝或者多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层(厚度极薄,在0.1μm以内)隔开。若在漏极和源极之间加上...
NMOS和PMOS详解
PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。NMOS和PMOS工作原理P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双...
产品方案 I 茂睿芯240W高性能PFC+LLC全套方案详解
5.1PFCMK2562MOS启机应力MK2562启机波形图5.2LLCMK2189启机应力LLC启动初始,系统开环工作,若直接以较低的开关频率工作,会造成谐振腔电流过冲,严重时可能损坏功率器件。MK2189拥有软启时间配置功能,通过设置SS管脚并联电容,调节软启工作时间;启动时,芯片给SS电容充电,随SS管脚电压上升,开关...
MOS管的源极和漏极是否可以互换使用,场效应管的D极和S极呢?
从金誉半导体上一篇文章中,我们可以看出,按照MOSFET的内部导通原理来说,所有管子id电流是可以双向流过的,让人感觉似乎使用时D-S可以互换,也有很多资料在做功能或者产品对比时,也表明D-S可以互换,大多一笔带过不做深入解释。那区分D/S极的意义何在?只是为了讨论电流流向和计算的时候方便吗?前文我们了解到,MOS管...