氮化镓也要代工了?

半导体行业专家表示，氮化镓的生长和加工过程远比硅基半导体复杂得多，例如，氮化镓衬底的生长是一个极具挑战的过程，因为氮化镓在常压下无法熔化、在高温下易分解，导致传统的熔体法无法用于氮化镓单晶的生长。而且，由于氮化镓晶体结构的特殊性，往往需要使用蓝宝石或者碳化硅作为衬底。这些过程中的任何一个环节出现问题，...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

从上个世纪70年代MOSFET出现之后，从平面MOSFET发展到TrenchMOSFET，再到SGTMOSFET和SJMOSFET，然后到现在很火的第三代宽禁带MOSFET（碳化硅、氮化镓），功率MOSFET技术迭代主要是围绕制程、设计（结构改变）、工艺优化和材料更换这些方面，这样就能让器件有高性能，像高频率、高功率、低损耗之类的。IGBT呢，大家都把...

人工光合作用的突破以创纪录的效率将二氧化碳转化为乙烯

这不仅产生了氢气供乙烯反应使用,还产生了氧气,氮化镓吸收这些氧气后变成了氮化镓氧化物。铜擅长抓住氢,并抓住二氧化碳中的碳,将其转化为一氧化碳。研究小组认为,在混合氢和光能注入的情况下,两个一氧化碳分子与氢结合在一起。据信,反应在铜和氮化镓氧化物的界面处完成,两个氧原子被剥离,并被分解水中的三个氢原...

金刚石/GaN 异质外延与键合技术研究进展

GaN异质外延金刚石技术相比键合技术,界面结合强度高,成本较低,但是也存在一些问题,如异质外延金刚石的形核层质量差、热导率低,金刚石的生长环境通常都是高温、高氢等离子体密度,GaN在高温冷却到室温的过程中会发生翘曲甚至破裂,在氢等离子体环境中会发生严重的刻蚀、分解。因此需要在GaN表面先制备一层保护层...

密歇根大学研究人建人工光合作用系统 可将二氧化碳转化为乙烯

这在一定程度上是因为氮化镓和水分解过程之间的协同关系：氧气的加入改善了催化剂，并实现了自修复过程。未来我们将探索该设备寿命的极限。最后，该装置生产乙烯的速率比最接近的竞争系统高出四倍多。密歇根大学电气与计算机工程助理研究员、论文第一作者张兵兴表示：“未来我们想要生产一些其他多碳化合物，比如含有三个...

氮化镓︱第三代半导体材料,前有围堵后有追兵

和其他半导体材料类似,氮化镓产业链可以分为衬底、外延和器件等几个环节(www.e993.com)2024年11月19日。不过,氮化镓产业化过程中困难和问题更多,发展也更为缓慢,且困难主要集中在衬底和外延环节。材料自身的性质来看,氮化镓高温下会分解,不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶,需要纯靠气体反应合成,而氮气性质非常稳定,镓又是非常稀有的金属,...

第三代半导体-氮化镓(GaN)技术洞察报告

氮化镓(GaN)简介氮化镓材料定义:氮化镓主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于2.3eV,也称为宽禁带半导体材料。氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表,是研制微电子器件、光电子器件的新型材料:第一代半导体硅(Si)锗(Ge):产业链成熟、成本低,适用于低压、低频、中功率场合,是目前半导体器件和集成电路主要...

氮化镓/氮化铝异质结混合界面声子输运特性研究

本研究利用分子动力学和晶格动力学方法,对氮化镓/氮化铝异质结界面的热传输和声子传输进行了深入探讨。在我们的实验中,我们分析了三种不同的界面形态:光滑、梯度混合和随机混合。初步的发现是,混合界面显著减低了热传输,尤其是当混合长度增加时。这说明,界面混合在某种程度上阻碍了热传输。

战略之“镓” 军工命脉|门捷列夫_新浪财经_新浪网

氮化镓可在2000℃高温下连续运行,对冷却系统要求相对较低。至于美国F-35隐形战斗机携带的AN/APG-81雷达仍采用砷化镓组件,其物理特性已到达极限,但要是改用氮化镓组件,功率放大器体积更小,功率却更大,较小的孔径便能增加探测距离及范围,形同对上一代产品的“降维打击”。欧洲泰利斯公司发展的舰载多功能搜索雷达,因...

SiC行业深度报告:SiC全产业链拆解,新能源行业下一代浪潮之基(上)

应用半绝缘型SiC衬底的氮化镓射频器件全球市场规模有望在2026年达到24亿美元,复合增长率为18%。而受益新能源市场发展,全球应用导电型SiC衬底的SiC功率器件市场规模2027年有望达到62.97亿美元,复合增长率为34%。下游应用市场的高速发展将带动上游衬底市场规模的快速增长,导电型衬底市场潜力...