...申请一种驱动电路及功率桥逆变电路专利,有效抑制功率 MOSFET...
使得在进行功率MOSFET开关切换时,保证了在需关断的功率MOSFET彻底关断并钳位之后,需开通的功率MOSFET才能开始开通,从而保证了一个功率MOSFET的开通不会对另一个功率MOSFET造成串扰影响,因此能有效抑制功率MOSFET米勒效应的影响,真正解决防桥臂直通问题。
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
开启过程损耗,指在MOSFET开启过程中逐渐下降的漏源电压VDS(off_on)(t)与逐渐上升的负载电流(即漏源电流)IDS(off_on)(t)交叉重叠部分造成的损耗。开启过程损耗计算:开启过程VDS(off_on)(t)与IDS(off_on)(t)交叉波形如上图所示。首先须计算或预计得到开启时刻前之VDS(off_end)、开启完...
智能驾驶供电冗余设计详解
只要不拔出钥匙,音乐还可以播放,这是一种人性化设置,此时娱乐设备的电源属性就是ACC档;另外,在车辆启动的瞬间,动作中的车窗和雨刮会暂停一下,这是为了暂时性的将大功率用电设备的电力切断,以节省蓄电池电力给起动机使用;在启动过程中会被切断的设备的电源属性就是IGN2,而仍可持续工作的设备就是IGN1。
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算
其中CRSS是MOSFET的反向传输电容(数据资料中的一个参数),fSW为开关频率,IGATE是MOSFET的栅极驱动器在MOSFET处于临界导通(VGS位于栅极充电曲线的平坦区域)时的吸收/源出电流。一旦基于成本因素将选择范围缩小到了特定的某一代MOSFET(不同代MOSFET的成本差别很大),我们就可以在这一代的器件中找到一个能够使功率耗散...
强势助力中国新能源汽车领跑,类比半导体携高边开关亮相慕尼黑华南...
“高边开关是一个整合了功率器件、模拟电路和逻辑电路(电源、MOSFET、接口、控制等)的‘数模混合体’,无论是对芯片设计能力、工艺制造能力和产品封测都提出了极高的要求。在工艺方面,ST、英飞凌等IDM企业无疑天然具备优势,尤其其领先的BCD集成垂直工艺,在国内代工领域仍然在联合研发阶段。在封测方面,国内汽车电子封测...
MOSFET打开的过程
VGP——米勒台阶电压是指在MOSFET开关过程中,栅极电压在一定时间内保持稳定的电压值(www.e993.com)2024年9月17日。在这个时间段内,栅极电压不随着栅极电流的变化而变化。VDD——MOSFET关断时,D和S之间施加的电压。MOSFET从关闭到完全导通可以分为下面几个阶段。(1)第一阶段(t1):在VGS还没到来之前的阶段,此时MOSFET完全没有打开,电路...
技术科普 | 汽车电机控制器详解
电压转换:MCU将电池的直流电转换为三相交流电,驱动交流电机,这一过程通过内部逆变器实现,使用半导体开关器件如晶体管或IGBT来控制电流的频率和幅值。速度与转矩控制:MCU根据驾驶条件调整电机转速和转矩,以适应不同的驾驶需求。系统保护:MCU具备多种保护机制,如电池输入端保护、故障检测、电机控制器本体故障保护、过载...
英飞凌OptiMOS 7 40V 车规MOSFET ,助力汽车控制器应用
开关瞬态过程仿真波形OptiMOS??7车规MOSFET命名规则基于市场的反馈和对竞争对手的分析,我们重新调整了新一代的OptiMOS??7车规MOS的命名规则。比如英飞凌料号IAUCN08S7N055X每个字符所代表的信息如下图所示。和之前的命名规则相比,最大的变化是移除了最大连续电流IDSmax,避免用户在器件选型时产生不必要的...
国芯思辰| 国产第二代SiC碳化硅MOSFET关断损耗Eoff优于海外竞品
Crss:反向传输电容(Crss=Cgd)??栅极-漏极电容:Crss越小,漏极电流上升特性越好,这有利于MOSFET的损耗,在开关过程中对切换时间起决定作用,高速驱动需要低Crss。Coss:输出电容(Coss=Cgd+Cds)??栅极-漏极和漏极-源极电容之和:它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大,关断dv/dt减小,这有利于噪声。但轻...
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项,您知道吗?
(a)开关中的EMI源(b)di/dt和dv/dt通过RG(EXT)图11.EMI考虑因素结论本应用笔记介绍了安森美1200VM3S碳化硅MOSFET与第一代SC1相比的主要特性,可以看出M3S取得了显著的改进,如表3所示。图12显示了系统的实际性能,在40kHz开关频率下测量的5kW升压变换器的效率。结果明确显示M3S比SC1表现更好,特别是在...