MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍
我们再去翻翻规格书中的数据表,其:在VGS=–2.5V,ID=–10A条件下,Rds(on)典型值是10.1mΩ,最大值是12.1mΩ在VGS=–4.5V,ID=–10A条件下,Rds(on)典型值是5.5mΩ,最大值是6.5mΩSOA推测出的Rds(on)和表格显示的参数并不完全一致,为什么会这样呢?SOA曲线展示的Rds(on)是一个...
MOS管GS电阻有什么作用?
t0→t1:当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候(可以理解为对Cgs进行充电),MOS管开始导通,这之前MOS管处于截止区;t1→t2:随着Vgs继续增大,Id开始增大,Vds开始下降,此时MOS管工作在饱和区(如何判断是在饱和区?直接通过公式可知:Vds>Vgs-Vth,Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍),Id主要由Vgs决定,这个过程中Vds会稍...
MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解
一般MOSFET的规格书里面会定义两个功率损耗参数,一个是归算到芯片表面的功率损耗RthJC,另一个是归算到环境温度的功率损耗RthJA。重点强调一点,与功耗温度曲线密切相关的重要参数热阻,是材料和尺寸或者表面积的函数。随着结温的升高,允许的功耗会随之降低。根据最大结温和热阻,可以推算出MOSFET可以允许的最大功耗。归算到...
我常用的分析方法——输入输出阻抗,是怎么玩的?你会不?
我们随便找个咪头规格书看下,说是2.2KΩ,一般咪头的输出阻抗也都是差不多的的。如图,芯片规格书也提供了咪头的内部电路,其实就是个FET管放大电路。如果好好学习的话(论大学好好学习的重要性),就知道这个FET管放大电路的输出阻抗就是那个RL,厂家这个RL是2.2KΩ,所以它就标注输出阻抗是2.2KΩ。原文授权自...
达新半导体|张海涛:Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析
另外再看一下它的反向导通压降,目前我们从下面VFSD可以看到,IGBT的反向导通压降是非常低的,但是碳化硅跟氮化镓的反向导通压降是非常高的,这个参数对整个应用也带来了很多的困扰。再来讲一下器件的电流,很多人经常会问你的器件电流是怎么测出来的,我们要告诉大家一点,器件规格书上的电流不是测出来的,是算出来的。从...
一文了解MOS管寄生电容是如何形成的?
MOS管规格书中有三个寄生电容参数,分别是:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss(www.e993.com)2024年7月30日。该三个电容参数具体到管子的本体中,分别代表什么?是如何形成的?功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型,其中绝缘栅型也称MOS管(MetalOxideSemico...
MOS管手册解读
打开规格书,首先看到的就是MOS管的引脚示意图、封装形式和三个重要参数。一般看到这个,心里对这个管子有初步的了解,知道适合在哪个功率等级使用。VDSS,ID和RDS(on),是特别重要的参数,也是必须了解的参数。下面的表格会详细说明其中的意义。1.VDSS漏极电压...
MOS管损耗的8个组成部分
MOS管损耗的8个组成部分在器件设计选择过程中需要对MOSFET的工作过程损耗进行先期计算(所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下,利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形,套用公式进行理论上的近似计算)。MOSFET的工作损耗基本可分为如下几部分:...
干货|真实案例分享:MOS管电源开关电路,遇到上电冲击电流超标
A君:不是,其他参数都没问题,最大脉冲电流超标了,替代的MOS管这项指标只有40A,之前那个是80A,你这个新项目测出来有60A。我:不可能,这电路用了很久了,一直都没出过问题,新项目虽然功耗增加了一些,但不可能有那么大脉冲电流,因为板上的大电容总容量又没增加多少,你是不是测错了?
开关电源MOS管有哪些损耗,如何减少MOS管损耗
三、MOS管损耗的8个组成部分在器件设计选择过程中需要对MOSFET的工作过程损耗进行先期计算(所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下,利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形,套用公式进行理论上的近似计算)。1、导通损耗Pon导通损耗,指在MOSFET完全开启后负载电流(即漏源电流)IDS(on)(t)...