解锁电子雷管新潜能:MOS管静态参数测试引领创新之路

(2)TH1992可输出高达±210V直流电压、±3A直流电流以及±10.5A脉冲电流、最小10fA/100nV的电源和测量分辨率,支持高速采样,可生成任意波形。(3)TH1992采用了7英寸电容式触摸屏,以Linux操作系统为底层,交互式图形用户界面及各种显示模式,并内置了二极管、三极管、MOS管以及IGBT等器件的I/V曲线扫描功能,无需连接上位...

MOS管参数解析及国内外大厂技术对比

MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能,是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标,也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。通常来说,MOS管的单位面积导通电阻值和优值系数值越低表示其性能越好。而超低压MOSFET不关注优值系数,单位面积导通电阻值和漏极击穿电压之间存在取舍关系,因此...

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)功率管的最主要的应用是控制电流的通断,即在一定的电压条件下对流经器件的电流进行开关控制。首先,在可以承受的击穿电压的前提下(即器件的工作电压平台),器件导通电阻越低,其导通损耗就越低。其次,器件在开关状态间切换时,栅极电荷越小,器件的开关速度就越快,其动态损...

MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍

SOA示意图中蓝色的就是Rds(on)限制线,简单理解,就是MOS管完全导通的时候,会有导通电阻Rds(on),我们知道,此时MOS工作在欧姆区,有关系式Vds=Ids*Rds(on),在我们固定条件Vgs和温度的情况下,Rds(on)就是一个常数,所以我们会看到这条曲线是线性的。如下图是TI的PMOS管CSD25404Q3T,我们在Rds(on)限制线取量...

吃透MOS管,看这篇就够了

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。其结构示意图:解释1:沟道上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mo...

MOS管及其外围电路设计

对于驱动芯片来说,选型主要考虑如下技术参数:驱动电流,功耗,传输延迟时间等,对隔离型驱动还要考虑原副边隔离电压,瞬态共模抑制等等(commonmodetransientimmunity),下面就分别加以介绍(www.e993.com)2024年11月11日。最大电流在mos管开通的时候,根据图2,可以得到mos开通瞬间的驱动电流ig为(忽略Lk的影响)...

全日系双金牌|三百块的安耐美金竞蝠GM650电源拆解评测-聚超值

LLC全桥谐振方案,开关管一般由4个MOS管组成(上下桥各自两枚),且一般搭配1大2小共三个变压器。该方案转化率较高,纹波稳定,基本应用于80PLUS金牌和白金认证的电源,甚至也可以做到钛金方案。安耐美金竞蝠的PFC控制器,位于电感后方。开关管等元器件展示。金竞蝠GM650的主变压器竟然用上了ERL-39,对于650W的...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

S校正电容:串接在偏转线圈回路中,用于校正显像管边缘的延伸线性失真。消亮点电容:设置在视放电路中,用于关机时消除显像管上残余亮点的电容。启动电容:串接在单相电动机的副绕组上,为电动机提供启动移相交流电压,在电动机正常运转后与副绕组断开。3去耦电容...

MOS管驱动电流估算

当然这也只能估算出驱动电流的数值,还需进一步测试MOS管的过冲波形。在设计驱动电路的时候,一般在MOS管前面串一个10Ω左右的电阻(根据测试波形调整参数)。这里要注意的是要用Qg来计算开启关断速度,而不是用栅极电容来计算。下面讲讲MOS管开通过程开始给MOS管Cgs充电,当电压升到5V时,Id流过一定的电流。继续充...

DCDC降压芯片:SM3026TB的特性与参数

其中SM3026TB是一款高性能的36V,1A单片降压型开关稳压器。这款芯片内部集成了一个36V、250mΩ的上MOS管和一个36V、140mΩ的下MOS管,固定500KHz的开关工作频率,可在4.5V至36V输入电压范围内提供1A的连续负载电流,并具有33V以上的过压保护。峰值电流模式控制可提供快速的瞬态响应和逐周期的电流限制。