...减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度

沿第一表面指向第二表面的方向,沟道层的导电率逐渐降低。通过设置沟道层的导电率可以减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度。本文源自:金融界作者:情报员

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

FeRAM的读写速度为纳秒级，远高于NORFlash。读写次数达到1014或1013次，从某种意义上相当于无限次。不过NORFlash一般都有使用次数的限制。基于这两个特性，FeRAM可用于实时写入、掉电保护等需要快速非易失性存储且读写次数较多的应用场景（如智能卡、计量设备、汽车中的事件数据记录器）。具有不可替代的绝对优势。

新存科技公布国产新型 3D 存储器参数:最高 IO 速度 3200MT/s

可以看到NM101采用SLC存储单元类型，最高IO速度（I/O接口速率）3200MT/s，总线位宽为×8，IO为1.2V，支持0℃~+70℃运行温度。新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理，支持随机读写，相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍，可搭配业界合作伙伴的控制芯片，应用...

新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度...

可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口速率)3200MT/s,总线位宽为×8,IO为1.2V,支持0℃~+70℃运行温度。新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍,可搭配业界合作伙伴的控制芯片,应用于企业级...

...该存储器结构具有无串扰、低功耗、且读写速度满足电路需求的优势

北京大学申请存储器结构及其集成方法专利,该存储器结构具有无串扰、低功耗、且读写速度满足电路需求的优势,串扰,介质,晶体管,半导体,存储器,低功耗

荣耀公司取得内存优化专利,提升内部存储器的读写速度,避免卡顿

此外,开启内存优化功能后,通过显示包括数据迁移选项的第一界面,从而能够便用户根据显示的数据迁移选项将内部存储器中的不同数据迁移选项对应的数据迁移到外部存储器,降低内部存储器的空间占用,从而提升内部存储器的读写速度,避免卡顿(www.e993.com)2024年11月21日。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。

...方法、存储器、电子设备及读写方法专利,提高了数据的读取速度

金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法“,公开号CN117794247A,申请日期为2022年9月。专利摘

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的...

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的运行速度,大大,指向,长鑫存储,读写方法,存储器装置

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等、需要读写次数比较高的快速非易失性存储的应用场景中(如智能卡、计量设备以及汽车中的事件数据记录仪),FeRAM有着不可...

HBM(高带宽存储器)简介

高速/高带宽:HBM2E和HBM3的单引脚最大输入/输出(I/O)速度分别达3.2Gbit/s和6.4Gbit/s,低于GDDR5存储器的7Gbit/s,但HBM的堆栈方式可通过更多的I/O数量使总带宽远高于GDDR5,例如HBM2带宽可以达到307GB/s。海力士官网数据显示:HBM3E的数据处理速度,相当于可以在1s内下载230部全高清(FHD)级电影(每部5千...