...减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度

沿第一表面指向第二表面的方向,沟道层的导电率逐渐降低。通过设置沟道层的导电率可以减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度。本文源自:金融界作者:情报员

新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度...

可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口速率)3200MT/s,总线位宽为×8,IO为1.2V,支持0℃~+70℃运行温度。新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍,可搭配业界合作伙伴的控制芯片,应用于企业级...

荣耀公司取得内存优化专利,提升内部存储器的读写速度,避免卡顿

此外,开启内存优化功能后,通过显示包括数据迁移选项的第一界面,从而能够便用户根据显示的数据迁移选项将内部存储器中的不同数据迁移选项对应的数据迁移到外部存储器,降低内部存储器的空间占用,从而提升内部存储器的读写速度,避免卡顿。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。...

...方法、存储器、电子设备及读写方法专利,提高了数据的读取速度

本实施例提供的存储阵列、存储阵列制作方法及读写方法,器件层包括层叠设置的第一电极层、第一隔离层以及电极板,各第一电极层之间电连接。在数据读取时,可以向第一电极层和栅极柱供电,即可使栅极柱与各器件层形成的各存储晶体管均处于可读取数据的状态,此时通过电极板即可读取该电极板对应的存储晶体管内的数据,无需...

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的...

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的运行速度,大大,指向,长鑫存储,读写方法,存储器装置

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制(www.e993.com)2024年11月22日。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等、需要读写次数比较高的快速非易失性存储的应用场景中(如智能卡、计量设备以及汽车中的事件数据记录仪),FeRAM有着不可...

性能强劲,电脑必备存储单品!铠侠SD10 PCIe4.0固态硬盘读写超快

从读取速率上看，铠侠M.2SD10官方标称顺序读写速度高达5000MB/s，顺序写入速度则达到了3900MB/s，1TB版本TBW提升至600，还支持5年质保。因为有了全新的PCIe4.0技术加入，让读写速率都实现比同级较快，也比自身前代G2产品有了显著提升。NVMe1.4技术减少了SSD与CPU之间系统路径进出的延迟，实现平稳响应...

液态金属存储器:在溶液中如大脑般读写信息

随着技术的进步,静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存存储器(NAND和NOR)、带电可擦可编程只读存储器(EEPROM)等相继问世,持续改善和优化了存储器的存储密度、读写速度、使用寿命、功耗和可靠性等性能指标,使得半导体存储器成为现代计算机系统中不可或缺的组成部分,被广泛应用于电子设备和存储单元等领域...

新兴存储,冰火两重天

非易失性:FeRAM最显著的特点是其在断电后数据不会丢失,是非易失性存储器;高速读写:FeRAM的读写速度相对较快,存取时间通常在50ns左右,循环周期约为75ns,这使得它在需要快速数据访问的场合具有优势;寿命长:FeRAM具有较高的读写耐久性,通常能够达到数十亿次的读写循环,远超过传统的EEPROM和闪存;...

佰维存储2023年年度董事会经营评述

000Mbps、时序低至CL36;NV3500SSD支持PCIe3.0x4接口及NVMe1.4协议,读写速度分别达到3,500MB/s、3,000MB/s,支持HMB缓冲技术,智能调用内存作为CPU与SSD数据传输的高速桥梁,大大降低读写延迟;NV7400SSD支持PCeGen4x4接口及NVMe2.0高速协议,顺序读写速度分别高达7,450MB/s、6,500MB/s,容量高达4TB,赋能玩家畅享...