MTS2025集邦咨询存储产业趋势研讨会演讲干货分享

会上,倪黄忠先生代表公司正式发布全新量产的高性能嵌入式闪存产品—1TBUFS3.1,其顺序读写速度分别达2100MB/s和1700MB/s,可满足AI手机等前沿应用以及主流智能终端的存储需求。此外,倪总还介绍了时创意总部大厦项目建设目前已进入全面竣工的冲刺阶段,其作为中国存储行业新地标,是集研发、制造及营销于一体的综合性科技...

兆易创新申请存储器操作方法、存储器和电子设备专利,提升读写并行...

存储器遵循读写并行协议并且包括多个存储体,该方法包括:通过写控制器在当前时钟周期向写请求的当前逻辑地址对应的第一存储体的指定位置写入数据,同时对写请求的下一逻辑地址对应的第二存储体的指定位置的原有数据进行预读;在所述写控制器在下一个时钟周期获取到基于预读的所述原有数据进行编码的指示时,通过编码器对...

液态金属存储器:在溶液中如大脑般读写信息

随着技术的进步,静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存存储器(NAND和NOR)、带电可擦可编程只读存储器(EEPROM)等相继问世,持续改善和优化了存储器的存储密度、读写速度、使用寿命、功耗和可靠性等性能指标,使得半导体存储器成为现代计算机系统中不可或缺的组成部分,被广泛应用于电子设备和存储单元等领域。

华为公司申请存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法...

本实施例提供的存储阵列、存储阵列制作方法及读写方法,器件层包括层叠设置的第一电极层、第一隔离层以及电极板,各第一电极层之间电连接。在数据读取时,可以向第一电极层和栅极柱供电,即可使栅极柱与各器件层形成的各存储晶体管均处于可读取数据的状态,此时通过电极板即可读取该电极板对应的存储晶体管内的数据,无需...

长鑫存储申请电源提供电路及存储器专利,提高存储器的读写速度

的功能模块供电;第二电源提供模块被配置为,基于初始电压信号向第二电源网络提供第二电源电压;第一电源网络和第二电源网络的相应节点之间通过电压控制模块连接;电压控制模块基于电压控制信号导通,以通过第二电源电压拉高第一电源电压;以通过提供更大的电源电压以提高存储器相应功能模块的驱动能力,从而提高存储器的读写速度...

三星电子宣布开发出其首款基于第八代 V-NAND 的车载 SSD,顺序读取...

据介绍,256GB版本的三星AM9C1相比前代产品AM991能效提高约50%,顺序读写速度分别达到了4,400MB/s和400MB/s(www.e993.com)2024年11月23日。三星半导体基于第八代V-NAND技术的车载SSDAM9C1三星电子副总裁兼存储器事业部汽车业务负责人HyundukCho表示:“我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作,为这些企业提供高性能、高容...

长鑫存储取得存储器及存储器的读写方法专利,能够避免MRAM在使用...

长鑫存储取得存储器及存储器的读写方法专利，能够避免MRAM在使用过程中容易由于过大的写入电流而毁损或退化金融界2023年12月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“存储器及存储器的读写方法“，授权公告号CN113539317B，申请日期为2020年4月。专利摘要显示，该发明涉及一种存储器及存储...

HBM(高带宽存储器)简介

典型的DRAM中,每个芯片有八个DQ引脚(数据传输路径,用作处理器和存储器之间通信的数据总线,必须具备读写功能,所以具备双向特性),即数据输入/输出引脚。组成DIMM模块单元后(双列直插式存储模块,安装在PCB板上的存储模块,包含多个存储芯片,被用作PC或者服务器中的主存储单元),共有64个DQ引脚。随着数据处理速度等方面的...

抗疲劳!中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数...

铁电材料像十多年前常见的卡式磁带上的材料一样,可以被用作非易失性存储器,具有低功耗、无损读取和快速重复写入的优势。铁电材料目前已被广泛应用在存储器、压电元件、传感设备等电子器件。然而,传统铁电材料会产生疲劳:随着极化翻转次数的增加,铁电材料极化会减小,而导致其性能衰减,最终引发器件失效故障。

性能强劲,电脑必备存储单品!铠侠SD10 PCIe4.0固态硬盘读写超快

从读取速率上看，铠侠M.2SD10官方标称顺序读写速度高达5000MB/s，顺序写入速度则达到了3900MB/s，1TB版本TBW提升至600，还支持5年质保。因为有了全新的PCIe4.0技术加入，让读写速率都实现比同级较快，也比自身前代G2产品有了显著提升。NVMe1.4技术减少了SSD与CPU之间系统路径进出的延迟，实现平稳响应...