2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

市场对更高效率、更快内存访问速度和更低功耗的需求持续推动着NVM技术的进步。预计2024年全球非易失性存储器市场规模将达到约945.2亿美元，2029年将扩大至1647.9亿美元，在此期间将以11.76%的复合年增长率持续增长。FeRAM依靠铁电材料的独特性能来存储数据。此类内存以其超快的读写速度、出色的写入耐用性和低...

CHIPS法案的资助推动了高密度、高速混合增益单元存储器的研究

由此产生的器件可保持位超过5000秒(普通DRAM必须每64毫秒刷新一次),速度比类似的氧化物增益单元快约50倍。佐治亚理工学院的电气工程师ShimengYu说,硅晶体管和氧化物晶体管的结合"减少了单元占用空间,而且氧化物晶体管的漏电流也很低,与硅-硅增益单元相比,混合存储器的数据保留时间提高了几个数量级。"...

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

FeRAM的另一大应用就是工厂自动化(FA),据冯逸新介绍,施奈德、西门子、中国台湾的台达、大陆知名的数控机床供应商,以及中国排名前五的FA供应商等都是富士通的客户,这些厂商的工厂自动化部门采用的都是非常高端的存储方案,除了FeRAM还有MRAM、NVSRAM等存储器,近年来,尤其是在旋转编码器领域的应用日益增多。“编码器分...

Imec发布未来二十年的五大半导体趋势

例如:在高速缓存层次结构的较低级别上,我们可以从3D分区片上存储器中受益吗?如果将SRAM替换为MRAM,那么在系统级会发生什么?作为说明,我们已使用该平台找到包含CPU以及L1,L2和L3高速缓存的高性能移动SoC的最佳分区。在传统设计中,CPU将以平面配置驻留在缓存旁边。我们评估了将高速缓存移至另一个芯片(将3D晶圆键合...

AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

FeRAM,即基于电容型的铁电存储器,因其与现有DRAM结构的相似性而最接近产业化应用。它旨在提供非易失性存储解决方案,以结合DRAM的快速访问和低功耗特性,特别适合需要频繁刷新的场景。FeFET,即基于晶体管型的铁电存储器,也是唐克超老师团队的研究重点。这种存储器以其高集成密度、快速操作和低功耗而受到关注。FeFET的...

供应链涨价、上游单季扭亏,“风向标”存储器加速回暖?

(SK海力士旗下两大存储产品类型价格涨幅表现,图源:SK海力士财报)“根据群智咨询调查分析,受AI大模型影响,HBM、DDR5、LPDDR5X等DRAM需求较旺盛,预计2024年主流DRAM原厂的平均稼动率将维持70%-80%之间,而NAND市场整体竞争较激烈,稼动率相对低一点(www.e993.com)2024年11月23日。”王旭东对记者分析,从具体应用看,AI服务器端具有更明确的成长性,...

华泰| 联合研究:三季度业绩前瞻

据百川盈孚,T700-12K/T300-12K碳纤维3Q24均价环比-12%/-4%、同比-30%/-15%,成本侧丙烯腈均价环比-13%/同比+2%,企业盈利水平仍承压,截至9月工厂库存月环比/同比+2.3%/+48%,累库速度放缓,装置多维持低负荷稳定生产,需求无明显增量下,预期价格仍盘整。风险提示:基建及地产投资超预期下行;原料及能源涨价超...

ACS Nano:基于ReS2/h-BN/石墨烯异质结的超高速多位存储器

器件具有高擦除/编程电流比,可在单个存储单元中实现多级存储。图4a展示了本文器件通过改变栅极电压脉冲幅度实现的多级存储能力。在每次擦除之前,施加+40V的背栅电压脉冲1s,设置器件处于低电流状态,即“0”状态。然后,施加持续时间为50ns,幅度从-18到-30V的负栅极电压脉冲,成功地将器件擦除到7个不同的电平,...

SDN可编程交换芯片架构核心:RMT,一个可编程的网络DSA

另一种设计是通过交叉开关[4]将每个逻辑阶段分配给一组解耦的存储器。虽然这种设计更加灵活(任何内存组都可以分配到任何阶段)，但在最坏的情况下，处理阶段和内存之间的线延迟至少会以sqrt(M)的速度增长，而在需要大量内存的路由器芯片中，M可以很大。虽然这些延迟可以通过流水线来改善，但这种设计的终极挑战是布线:...

万字聊聊汽车MCU芯片

例如,GD32L233系列MCU提供了多种工作模式和休眠模式,以及丰富的外设接口,如多至4个通用16位定时器、2个基本定时器和1个32位低功耗定时器,以及标准和高级通信接口等。8.5高度集成的功能和高效的处理能力例如,TI的MSPM0系列MCU集成了高性能的模拟信号链控制、ADC、DAC等功能,同时具有优异的运行功耗和睡眠功耗参...