合肥智芯半导体申请FIFO存储器读写处理电路和芯片专利,提高FIFO...

空满状态判断模块和双端口存取的FIFO存储器,其中,写操作控制模块用于控制通信模块的写接口的工作,读操作控制模块用于控制通信模块的读接口的工作,可配置模块用于配置时钟同步和分配每个通信模块在FIFO存储器中的地址范围,空满状态判断

...减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度

沿第一表面指向第二表面的方向,沟道层的导电率逐渐降低。通过设置沟道层的导电率可以减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度。本文源自:金融界作者:情报员

深圳佰维存储取得存储器的读写处理专利 快报

深圳佰维存储取得存储器的读写处理专利快报2024-10-1615:52:28金融界灵通君北京举报0分享至0:00/0:00速度洗脑循环Error:Hlsisnotsupported.视频加载失败金融界灵通君61粉丝金融界旗下账号00:46上海电影法定代表人变更为王隽快报00:45宏达股份法定代表人变更为乔...

西蒙电气申请针对Flash存储器实现延长使用寿命的数据读写操作控制...

专利摘要显示,本发明涉及一种针对Flash存储器实现延长使用寿命的数据读写操作控制方法,其中,所述的方法包括:设置有第一扇区以及第二扇区,所述的第一扇区以及第二扇区均设置有4字节的扇区状态标志,以及数个相对设置的数据帧,各个所述的数据帧为不同的数据帧类型;所述的第一扇区以及第二扇区轮流作为ActivePage用于数据...

荣耀公司取得内存优化专利,提升内部存储器的读写速度,避免卡顿

此外,开启内存优化功能后,通过显示包括数据迁移选项的第一界面,从而能够便用户根据显示的数据迁移选项将内部存储器中的不同数据迁移选项对应的数据迁移到外部存储器,降低内部存储器的空间占用,从而提升内部存储器的读写速度,避免卡顿。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。

台积电申请存储器电路及其操作方法专利,使存储器电路的读写操作...

第一晶体管被配置为响应于存储器单元被配置为储存第一逻辑值而执行存储器单元的写入操作(www.e993.com)2024年11月22日。第二晶体管被配置为响应于存储器单元被配置为储存不同于第一逻辑值的第二逻辑值而执行存储器单元的读取操作和存储器的写入操作。本申请的实施例还涉及操作存储器电路的方法。

...方法、存储器、电子设备及读写方法专利,提高了数据的读取速度

金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法“,公开号CN117794247A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本申请实施例属于存储设备技术领域,具体涉及一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法。本申请实施例旨在解决存储...

长鑫存储取得存储器及存储器的读写方法专利,能够避免MRAM在使用...

专利摘要显示，该发明涉及一种存储器及存储器的读写方法，能够避免MRAM在使用过程中容易由于过大的写入电流而毁损或退化，并具有较大的存储器集成密度。所述存储器包括：存储单元，包括存储元件；源极线，电连接所述存储元件的第一端；所述存储器被配置为通过第一电流和第二电流改变所述存储元件的存储状态，所述第...

2024 汽车芯片创新成果典型案例新鲜出炉,看看都有谁

2024汽车芯片创新成果典型案例（排序不分先后）得一微电子股份有限公司高可靠车规级eMMC存储芯片和解决方案得一微旗下SiliconGo品牌车规级eMMC系列存储器产品，专为汽车行业打造。产品皆搭载得一微自研的主控芯片，支持eMMC5.1数据传输模式，具有优秀的读写性能和迅捷的响应速度，已通过国际汽车电子协会AEC-Q100...

科陆电子申请监测存储器读写的专利,提高存储器的使用寿命,降低...

金融界2024年3月26日消息,据国家知识产权局公告,深圳市科陆电子科技股份有限公司申请一项名为“一种监测存储器读写的方法、脚本、装置、设备及介质“,公开号CN117762732A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本申请属于存储器技术领域,公开了一种监测存储器读写的方法、脚本、装置、设备及介质。该监测存储器读写...