吃透MOS管,看这篇就够了
当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过),所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压,图1-3-B所示,即VGS>0,则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场,由于氧化物层是绝缘的,栅极所加电压VGS...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
第三,当发射结没有正向偏置,也就是是截止的时候,集电极和发射极之间没有电流流动。例如,如果基极接地,发射结就没有导通,这个二极管就相当于关闭了,相应的电流就不会从集电极流向发射极。当发射结正偏时,电流可以在集电极和发射极之间流动,三极管处于导通状态:当三极管导通时,发射结的行为就像一个二极管,所以基极...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
从图1-3-A可以看出,增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过),所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压,图1-3-B所示,即VGS>0,则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层...
基础知识之晶体管
当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。晶体管的开关工作就像使用基极作为开关来打开和关闭从集电极流向发射极的电流。开关导通示意图作为放大器...
基础知识之运算放大器
电路结构基本与运算放大器相同,但由于未考虑构成负反馈电路使用的情况,因此未内置防振用相位补偿电容。由于相位补偿电容可限制输入输出间的工作速度,因此与运算放大器相比,响应时间明显提高。比较器的输出电路形式主要分为集电极开路(漏极开路)型和推挽输出型。虽表示为BA10393的内部等效电路,不过这也是集电极开路型...
双极性晶体管基础知识解析
基极的物理位置在发射极和集电极之间,它由轻掺杂、高电阻率的材料制成(www.e993.com)2024年8月17日。集电极包围着基极区域,由于集电结反向偏置,电子很难从这里被注入到基极区域,这样就造成共基极电流增益约等于1,而共射极电流增益取得较大的数值。从右边这个典型NPN型双极性晶体管的截面简图可以看出,集电结的面积大于发射结。此外,发射极具有相...
科普:电子技术的主要知识
PN结对正向电流的阻碍作用很小,电流容易通过。相反,如果把外电源反接,则外电场方向与PN结内电场的方向一致,因而加强了对多数载流子的阻挡作用,使得PN结中流过的电流极小,这一电流又称为反向漏电流。PN结加反向电压时对电流的阻碍作用,从外部看,反映出PN结的反向电阻很大,这就是半导体PN结具有单向导电性的基本原理。
三极管的类型及检测方法
2.电阻测试:使用万用表进行电阻测试,测试三极管的发射极、基极和集电极之间的电阻值,如果电阻值不正常,说明三极管已经损坏。3.管子测试:使用测试仪器测试三极管的放大倍数、饱和电压和截止电压等参数,如果参数不正常,说明三极管已经损坏。4.替换法:如果以上方法无法确定三极管是否损坏,可以尝试将其替换成一个正常...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
工作原理:一般衬底和源极短接在一起,Vds加正电压,Vgs=0时,PN结反偏,没有电流,Vgs加正电压,P衬底上方感应出负电荷,与P衬底的多子(空穴)极性相反,被称为反型层,并把漏源极N型区连接起来形成导电沟道,当Vgs比较小时,负电荷与空穴中和,仍无法导电,当Vgs超过导通阈值后,感应的负电荷把N型区连接起来形成N沟道,...
用于毫米波的半导体技术
2)与GaAs相比具有较低的表面复合速率,从而具有较高的电流增益,导致其具有按比例缩小到较小尺寸的能力。3)由于在基极中使用了窄能隙InGaAs,则具有比GaAs较低的基极-发射极开启电压。4)当InP被用作集电极材料时,具有比SiGe更高的击穿电场强度。