DARPA采取两项措施推动语义取证技术的商业化转型,加强防御受操纵...
据TechXplore网3月15日消息,日本国立材料科学研究所(NIMS)研究团队研发出世界上首款可应用于CMOS集成电路的N型场效应晶体管(MOSFET)。该研究团队使用NIMS专有的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法精确控制高温高压合成(HPHT)单晶金刚石基板晶面上的掺杂浓度,最终形成了高质量的N型金刚石外延层,并基于此研发出新型N...
光伏设备行业深度报告:技术升级百花齐放,设备需求景气延续
背表面采用扩散法形成p+和n+交错间隔的交叉式电极接触高掺杂区,通过在钝化膜上开孔,实现金属电极与发射区的点接触连接,降低载流子的背表面复合速率。由于采用背接触结构,串联电阻低于传统电池,具有较高的填充因子。此外,IBC电池外形美观,具有较好的商业化前景。缺点在于背表面需要多次掩模和光刻技术,工艺步骤多...
光伏行业专题报告:晶硅电池待摘“明珠”,BC电池踏浪前行
2)掺杂层的pn区隔离效果影响电池良率:掺杂层是p+区和n+区呈叉指状分布形成的,主要作用是分离和收集载流子,其中p+区负责收集空穴,n+区负责收集电子,再分别将收集的载流子传递给正负电极并与外接负载形成通路,因此p+区和n+区不能直接接触,否则收集的载流子将在掺杂层层面上直接接触形成短路,导致...
钙钛矿电池能在太空中自我修复?是时候好好盘盘它啦!
主要有三个方面的原因:材料性能、原料价格,以及生产过程。首先,电池中的钙钛矿层只需很薄(0.3微米)便能实现对阳光的饱和吸收,想要实现同样的效果,晶硅电池中的硅片需要180微米厚。根据业界的测算,35公斤钙钛矿的发电量相当于7吨硅!同时,钙钛矿材料对杂质容忍度较高,90%的纯度即可实现正常工作。晶硅则需要具备6...
AM:热激子机制和 AIE 效应提升非掺杂 OLED 中深红色发射器的性能
具有热激子机制和AIE性质的发光材料非常适合用作非掺杂有机发光二极管(OLED)的发光材料,特别是在其基态和单重态激发态表面接近的深度区域,导致形成多个非辐射通道。然而,设计人工结合热激子机制和AIE属性的分子仍然是一项艰巨的任务。中科院宁波材料所ZiyiGe,WeiLi,华南理工大学Shi-JianSu提出了一种通用的策略来...
有了它 选择性发射极SE技术 PERC量产效率轻易突破22%?
原因是高方块电阻的轻掺杂发射极可以有效减少载流子的复合几率,提高载流子的收集效率,低表面掺杂浓度还可以使表面态密度降低,提高表面钝化效果,最终提高电池的开路电压和短路电流(www.e993.com)2024年7月4日。另外,选择性发射极轻、重掺杂区的掺杂浓度差形成高低结,进一步提高电池的开路电压。
发光学报|高速1550nm垂直腔面发射激光器研究进展
而且二次外延BTJ结构可以在BTJ区域外形成一个阻塞的pn结层,而在BTJ区域内,由于隧道效应,p++n++结具有较低的电阻。因此电流被限制在重掺杂区,从而实现对电流的限制。此外,通过晶圆熔合技术制备的1550nmVCSEL具有散热性能优异的DBR,对解决器件的热问题也有帮助。田思聪研究员与俄罗斯团队合作,通过晶圆熔合技术,实现...
重磅!2022中国光学十大进展发布
7/高效、高重频极紫外超快相干光源上海交通大学刘峰、陈民和李博原课题组通过引入圆偏振预脉冲,成功实现对微米尺度预等离子体的主动调控,构建出合适的纵向密度分布,解决了高次谐波产生受限于激光对比度的难题,实验验证了产生高重频、高亮度极紫外超快辐射源的新方案。
重磅!2020年Angew发文数量最多的哪国?发文最多的机构和个人是谁...
聚集‐诱导发射:聚集水平上的新远景聚集诱导发光(Aggregation‐inducedemission,AIE)描述了一种光物理现象,即分子聚集体比单个分子表现出更强的发射。在过去的20年里,AIE研究在材料开发、力学研究和高科技应用方面取得了长足的进展。AIE的研究成果表明,分子聚集物具有许多分子物种,所没有的性质和功能。在此,来自中...
光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质
原因在于:常规晶体硅太阳能电池采用均匀高浓度掺杂的发射极。较高浓度的掺杂可以改善硅片与电极之间的欧姆接触,降低串联电阻,但也容易造成较高的表面复合。为此,需要使用选择性发射极(SE)技术,在金属栅线(电极)与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂深扩散,而在电极以外的区域进行低浓度掺杂浅扩散。