中国首台芯片光刻机成功交付,振奋人心的重大进展!

28纳米光刻机的突破是我国芯片产业发展道路上的一个重要节点。它不仅标志着我国在高端芯片制造装备领域取得了重大进展，更为整个产业链的发展注入了强劲动力。虽然与世界先进水平相比还有差距，但只要我们坚持自主创新，持续投入，就一定能够实现更大的突破，为我国科技发展和经济腾飞做出更大贡献。这个消息一出，可把网友...

重大突破!华科人攻克芯片光刻胶关键技术

由于光刻胶是芯片制造的关键材料,国外企业对其原料和配方高度保密,目前我国所使用的光刻胶九成以上依赖进口。武汉光电国家研究中心团队研发的这款半导体专用光刻胶对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于国外同系列某产品,T150A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm,且工艺宽容度更大、稳定性更高、留膜率更...

强国有我:我国高校是如何解决芯片领域的各种卡脖子问题的

芯片领域，是近几年来人们最为关注的话题之一，起因是由于国外在该领域对我国实施制裁，想要将我国在手机等领域的芯片限制死，已达到打压中国前沿工程发展的目的。不过，我国可不是上世纪80年代的日本，可不是那么好拿捏的。而我国的高校在国家的政策引导下，也大力攻关芯片领域各项卡脖子技术，其中华中科技大学就是最...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

DUV光刻机想要生产更先进制程芯片,除了浸没式外,就必须突破多重曝光技术的瓶颈。多重曝光将原本一层光刻的图形拆分到多个掩模上,利用光刻Litho和刻蚀Etch实现更小制程。1.35NA的浸没式DUV分辨率约38nm,单次曝光能满足28nm逻辑节点,在2015年EUV光刻机量产之前,台积电最先进制程已发展到16/12nm,实现手段便是多重曝光...

在美国的重重封锁下我国国产“芯”技术再突破,目标直指5nm

光源是光刻机的核心部件之一，未来会不断探索更先进的光源技术。如极紫外（EUV）光源技术将持续优化，提高光源的功率、稳定性和能量转换效率，降低成本，以更好地支持高端芯片的生产。同时，也可能会有新的光源技术出现，为光刻技术带来新的突破点。光学系统的性能对光刻精度至关重要。我国会加大在光学设计、光学材料...

美论坛惊讶,中国怎敢擅自研发光刻机?国产光刻机官宣,打谁的脸

01中国工信部宣布氟化氩193nm波长、8nm的套刻精度光刻机已进入推广目录,标志着国产光刻机取得重大突破(www.e993.com)2024年11月9日。02尽管与国外先进光刻机存在较大代差,但28nm光刻机的突破意味着中国在众多工业化领域已实现自主。03由于国内对光刻机的需求极度迫切,产业前进速度往往比预想中快,光刻机突破打破芯片制造瓶颈指日可待。

重磅!我国首次突破芯片制造关键技术!

我国首次突破芯片制造关键技术!AMD自适应和嵌入式产品技术日低价玩转泰克TBS1000C示波器据南京市政府发布公告,经过4年的自主研发,国家第三代半导体技术创新中心(南京)成功攻关沟槽型碳化硅(SiC)MOSFET芯片制造关键技术。这是我国在这一领域的首次突破,打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。

比芯片更重要,这个突然爆火的“工业母机”是什么?我国为何如此重视?

在国家“04”重大专项新一轮的支持下,预计到2027年,突破工业母机精度保持性快速测评技术,制定系列精度保持性快速测评国家或行业标准,全面建成工业母机精度保持性快速测评基地,支撑部分专项研发产品达到国际先进水平。预计到2035年,持续发展精度保持性快速测评技术,全面支撑国产工业母机达到国际先进水平,推动我国工业...

即将在成为全球最大芯片出口国,深度解读中国芯片出口的增长逻辑

真金白银的计算,最容易引发美国芯片产业链内部的不和。当地时间7月17日,华尔街半导体指数市值蒸发逾5000亿美元,创下2020年以来最糟糕的一个交易日。而暴跌原因,被归咎于特朗普的一番牢骚——特朗普把矛头指向了台湾在先进半导体制造领域的主导地位,称台湾“抢走了”美国的芯片业务。

好消息传来,中国芯片重大突破,美国根本拦不住

近年来,美国在对华芯片上的打压可谓愈发强烈,由于种种技术的限制,中国半导体产业屡屡被卡脖子。无论是制造芯片的核心设备光刻机,还是高端芯片,美国对华都是严防死守,不仅勒令自家企业,还施压盟友,严格限制对华出口。好在中国人自立自强,在逆境中不断创新,近日中国芯片产业又有重大突破。据央视新闻11月28日报道称,CPU...