三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
截止区:当发射结电压小于导通电压(约0.6-0.7V),发射结没有导通,集电结处于反向偏置,三极管没有电流放大作用,相当于一个断开的开关。放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。
二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解
三极管原理:在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电...
常见电子元件的识别与检测
同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
1、P型和N型半导体:本征半导体掺杂三价元素,根据高中学的化学键稳定性原理,会有“空穴”容易导电,因此,这里空穴是“多子”即多数载流子,掺杂类型为P(positive)型;同理,掺杂五价元素,电子为“多子”,掺杂类型为N(negative)型。2、载流子:导电介质,分为多子和少子,概念很重要,后边会引用3、空穴”带正电,电子...
全局角度,半导体设备的市场空间与竞争格局何在?
4)掺杂设备:全球集成电路离子注入机市场规模约18亿美元掺杂工艺的实现包括高温热扩散法、离子注入法。其中,离子注入即通过对半导体材料表面进行某种元素的离子注入掺杂的工艺制程,目的为改变半导体的载流子浓度与导电类型。根据能量高低离子注入机包括低能/中能/高能/兆伏离子注入机;根据束流大小包括小/中/大束流离子...
半导体人必须知道的259个专业名词解释!
激活杂质:使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置,以便具有电活性,产生自由载流子,起到杂质的作用(www.e993.com)2024年7月7日。消除损伤:离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁区(进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置,致使晶体的特性改变)。而这种损毁区,经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回...
【趣味】接下来,跟随这篇文章一起科学拆家···电
也许你会问:既然三极管两端都是“一样的”材料,集电极和发射极是不是可以互换呢?其实不然,两端的材料是不完全相同的,只是“极型”即掺杂材料类型相同。一般来说,发射区的掺杂浓度高于集电区,集电区的面积要大于发射区,而基区的面积又小,浓度也低。
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
·发射区向基区注入电子;·电子在基区的扩散与复合;·集电区收集由基区扩散过来的电子。问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流Ic的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电区的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用,同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生...
常用半导体器件-晶体三极管学习笔记
1)发射区:发射区掺杂浓度很高,用于发射自由电子2)基区:基区很薄而且杂质浓度很低,发射区发射扩散过来的自由电子一部分将和基区的空穴中和3)集电区:面积很大,自由电子经过基区后,多下来的自由电子由于漂移运动将到达集电区2晶体管的符号
学NPN\PNP三极管,这篇文章就够了,教会你,三极管的开关与放大
(2)、放大区:三极管的发射极加正向电压(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),集电极加反向电压导通后,Ib控制IC,Ic与Ib近似于线性关系,在基极加上一个小信号电流,引起集电极大的信号电流输出。(3)、饱和区:当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时,再增大Ib,Ic也不会增大,超出了放大区,进入了饱和区。饱和时,Ic...