【趣味】接下来,跟随这篇文章一起科学拆家···电
一般来说,发射区的掺杂浓度高于集电区,集电区的面积要大于发射区,而基区的面积又小,浓度也低。根据外加电压方式的不同,三极管也存在三种状态:1截止区,2饱和区,3放大区。截止区,发射极电压小于开启电压,且集电结反偏;饱和区,集电结跟发射结处于正偏;放大区,发射结正偏,集电结反偏。但是,不管是PNP...
10个问题,让你真正学懂三极管
以NPN型三极管为例,发射区N型半导体的掺杂浓度比集电区N型半导体的要高,掺杂浓度高意味自由电子浓度高,这是三极管实现放大功能的关键。当发射结正偏且集电结反偏时,三极管处于放大工作状态。发射结正偏,发射结导通,由于发射区自由电子浓度较高,所以进入基区P型半导体的自由电子也多,基区电场增大。此时,虽然集电...
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
·集电区收集由基区扩散过来的电子。问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流Ic的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电区的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用,同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。以为只要Vc足够大基区足够薄,集电结就可以反向导通,P...
SiC IGBT研究进展与前瞻
首先生长一层2μm厚、掺杂浓度为2×1017cm-3的P型缓冲层,之后继续生长100μm厚、掺杂浓度为2×1014cm-3的P型漂移区。漂移区的载流子少子寿命为1.2μs。为保证栅氧化层的可靠性,同时尽可能地提升器件的通态特性,在条形元胞中JFET区域的宽度设计为10μm,六角形元胞中JFET区域的...
常见电子元件的识别与检测
由于脉冲电位器在工作过程中有三种情形:一是没有被旋转而停留在某一状态(位置);二是虽然被旋转但没有完成一个周期(4个状态)而停留在某一状态;三是不停地被旋转而超过一个周期。状态(位置)采样法就是要准确地跟踪识别和记录脉冲电位器变化的每一个状态值(包括位置值和它对应的特征码)。程序一开始就要识别出脉...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
三极管放大导通条件是《发射结正偏,集电结反偏》就非常容易理解了,上一张三极管的特性曲线(www.e993.com)2024年7月14日。这里涉及了饱和区的问题,三极管工作在饱和区时Vce很小,有人说饱和区条件是发射结正偏,集电结也正偏,这很容易让人误解;发射结正偏导通没问题,但集电结并没有达到正偏导通,若集电结正偏导通,就跟两个二极管放一起...
全局角度,半导体设备的市场空间与竞争格局何在?
4)掺杂设备:全球集成电路离子注入机市场规模约18亿美元掺杂工艺的实现包括高温热扩散法、离子注入法。其中,离子注入即通过对半导体材料表面进行某种元素的离子注入掺杂的工艺制程,目的为改变半导体的载流子浓度与导电类型。根据能量高低离子注入机包括低能/中能/高能/兆伏离子注入机;根据束流大小包括小/中/大束流离子...
环保指南丨粉尘、脱硫、脱硝、飞灰...35个废气相关问答请收好
影响电除尘器效率的主要因素有:粉尘比电阻、气体温度、烟气速度、气体湿度、粉尘浓度、电晕极性、气流分布均匀性、振打方式等。5.造成电除尘气流分布不均的原因有哪些?1)由锅炉而引起的分布不均;2)在烟道中摩擦引起的紊流;3)由于烟道弯头曲率半径小,气流转弯时因内侧速度大大减小而形成的扰动;...
你真的很懂三极管吗?
2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
半导体人必须知道的259个专业名词解释!
激活杂质:使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置,以便具有电活性,产生自由载流子,起到杂质的作用。消除损伤:离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁区(进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置,致使晶体的特性改变)。而这种损毁区,经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回...