讲透三极管_手机新浪网
发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。饱和区:当集电极电流增大到一定程度时,再增大基极电流,集电极电流也不会增大,集电结也正偏,三极管的电流放大系数变小,相当于一个闭合的...
小科普|一文看懂IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。3)当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:②若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。②若栅-射极电压UGE>Uth,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常...
电力晶体管基础知识解析
GTR通常工作在正偏(Ib>0)时大电流导通;反偏(Ib<0=时处于截止状态。因此,给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号,它将工作于导通和截止的开关状态。电力晶体管特点l输出电压可以采用脉宽调制方式,故输出电压为幅值等于直流电压的强脉冲序列。2载波频率由于电力晶体管的开通和关断时间较长,故允许的载波...
晶体管的工作状态判断和工作条件
在电源Eb的大小已经确定的条件下,改变Rb的阻值就可以改变晶体管的静态电流Ib,从而也改变了集电极静态电流Ic和管压降Vce,使放大器建立起合适的直流工作状态。二、晶体管工作状态的判断晶体三极管工作在放大区时,其发射结(b、e极之间)为正偏,集电结(b、c极之间)为反偏。对于小功率的NPN型硅,呈现为Vbe≈0.7...
集成电路技术的根本——晶体管的故事
当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压、集电结加上反向偏置电压时,晶体管导通,其内阻变小,各电极均有工作电流产生(IE=IB+IC)(www.e993.com)2024年9月11日。适当增大其发射结的正向偏置电压、使基极电流IB增大时,集电极电流IC和发射极电流IE也会随之增大。当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值(硅管等于或略高于0.7V,锗管等于或略...
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
关断时IGBT和MOSFET的主要差别是电流波形分为tfi1和tfi2两部分,其中,tfi1由MOSFET决定,对应于MOSFET的关断过程;tfi2由PNP晶体管中存储电荷所决定。因为在tfi1末尾MOSFET已关断,IGBT又无反向电压,体内的存储电荷难以被迅速消除;所以漏极电流有较长的下降时间。因为此时漏源电压已建立,过长的下降时间会产生较大的功耗...
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)知识解析
IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管(如图1所示)。在特殊条件下,这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加,对等效MOSFET的控制能力降低,通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁,具体地说,这种缺陷的原因互不相同,与器件的状态有密切关系。通常情况下,静态和动态闩锁有...
科普:电子技术的主要知识
温度变化时,对二极管的正向电流、反向电流、阀电压、反向击穿电压等都有影响。1)温度升高时,正、反向电流增大,阀电压降低、反向击穿电压降低。温度降低时,上述各项将作相反变化。2)由于上述各项都反映在伏安特性曲线上,所以只要观察一下上图所示曲线就可看出温度变化对二极管特性和上述各项参数的影响。与硅二极管相比...
5G射频芯片中的半导体|慧智微论坛
图:正偏及反偏下的p-n结从“晶体管”开始,直到改变世界只是用p-n结二极管,还不足以设计集成电路。在半导体物理的基本原理被人类掌握之后,人类就开始用半导体材料设计制造一些特殊器件。比如:利用半导体导电性能与温度之间的关系,可以设计出热敏电阻,来感知温度变化;利用有些半导体导电性能与光照之间的关系,可...