冷库的制冷剂泄漏原因及处理办法
造成冷库泄漏的原因除了极少数的人操作失误之外,更多的是设备本身的原因:正常使用过程中,由于年久未修设备老化而引起的泄漏事故,即是设备故障;阀门泄漏,通常由于阀门的轴心松动,气密性不好,氨气顺着轴心外泄;焊缝老化,经过长期的使用,一些管道上的焊缝老化,造成氨气泄漏;法兰垫圈老化,管道中的设备油易腐蚀法兰中橡胶垫...
中山大学郑治坤团队:用五年“编织”一张好用的晶体分离膜
这种影响在由单层原子或少数原子层构成的二维晶体中格外严重,一个线性晶界就将导致二维晶体薄膜的断裂。对各种材料来说,机械强度和韧性往往互相矛盾,难以兼得,对于晶体当然亦是如此。在钢铁冶炼中,人们通过引入新的物质——碳,来改变材料结构,调控材料的物理性质,调制出强度和韧性均合适的材料。但在晶体的制备中,“...
和田玉上黑色杂质原因解析
答:黑色的成分杂质可能是由于和田玉的存在原石中含有其他矿石或石英晶...。和田玉上有黑色的离子杂质怎么回事问:和田玉上出现黑色的聚集杂质是什么原因引起的组成呢?答:黑色的成分杂质可能是由于和田玉的存在原石中含有其他矿石或石英晶体等杂质,也有可能是在加工过程中受到污染所致。问:出现黑色的造成的杂质会...
聊聊芯片制造中的金属杂质
金属杂质的影响金属杂质可能会改变硅晶体的导电性。如果一个硅晶体中有过多的杂质,它可能会从一个绝缘体变成一个导体,或者从一个导体变成一个半导体。这对于需要精确控制电导性的半导体设备来说,是非常严重的问题。金属杂质可能会引入晶体缺陷,例如点缺陷、位错等。这些缺陷可能会影响硅晶体的电学性能和机械性能,降...
...美国国家材料科学研究所(NIMS):N型导电性沟道金刚石场效应晶体...
很大原因在于以前大多数的研究是基于硅单晶掺杂理论,主要的杂质元素有氮、磷、硫、锂等,通过在生长过程中或采用离子注入方法使各种杂质掺入到单晶金刚石或微晶金刚石薄膜中,但掺杂后的薄膜电导率低,电子迁移率低,难以用作电子器件。比如,氮是金刚石中的深能级杂质,室温激活能为1.7eV,就很难在室温电离出足够的...
光伏设备行业分析:周期底部回顾行业简史,技术迭代展望未来机遇
实际上,只是这块晶体硅样品制造过程中出现了裂缝,而裂缝两侧又恰巧掺入了不同杂质,形成了一个p-n节,当其暴露在阳光中,就产生了电流(www.e993.com)2024年9月11日。太阳能电池问世后迅速得到了应用,然而由于其初期高昂的成本,该技术初期被应用在了彼时如火如荼的太空竞赛之中。1958年美国卫星前卫一号成功发射,这是人类历史上第一颗...
下一代晶体管结构:小荷已露尖尖角
据了解,半导体材料在晶体生长和制造过程中,由于各种原因会出现缺陷、杂质、位错等结构性缺陷,导致晶格不完整,施加电场后的电导率较低。通过热退火处理,可以使材料得到修复,结晶体内部重新排列,去除大部分缺陷和杂质,恢复晶格完整,提高电导率和电学性能。业内人士表示,半导体热退火需要在1050℃的高温下进行,在...
Intel断言没戏的碳基晶体管来了
近日,北京大学彭练矛院士、张志勇教授团队制造出了一款基于阵列碳纳米管的90nm碳纳米管晶体管,其具备高度集成能力。这意味着在90nm及以下技术节点数字集成电路中碳纳米管半导体具备一定的应用潜力,也为进一步探索全碳基集成电路提供了深入见解。相关成果已发表在《NatureElectronics》上。
谁能替代铜互连?_腾讯新闻
一般来说,晶体中任何偏离周期性的地方都会使电子散射。元素金属含有空位(或空位团簇)缺陷或杂质。在相关金属的典型多晶高质量薄膜中,空位和杂质限制了低温下的电阻率,但在室温下通常可以忽略不计,在室温下,声子、晶界和表面的散射占主导地位。然而,对于复合金属来说,情况就大不相同了。合金是一种本质上无序的材料...
钙钛矿电池能在太空中自我修复?是时候好好盘盘它啦!
其导电性源于晶体中的杂质或掺杂的其他原子提供的电荷载流子,如电子或空穴。后者是由于电子缺位而产生的行为现象,由于它也可以在晶体内移动,好像带正电的粒子,因此被视为一种准粒子。半导体中掺入的“杂质”的类别和浓度在很大程度上决定了其电导率以及许多其他电学特性。