氮化镓晶体管散热革命与高性能电子器件的未来 | 金刚石大会

其次,氮化镓具备较高的电子饱和速度和电子迁移率,这使得GaN基器件在高频领域具有明显的优势。电子饱和速度是指电子在强电场下的最大漂移速度,较高的电子饱和速度意味着氮化镓器件能够在高频操作下实现更快的响应速度。因此,在射频通信、雷达、无线基站等高频应用中,GaN基器件远优于硅基器件。此外,GaN材料的高击穿电场...

开关功率晶体管的选择和正确操作

在晶体管进入其线性范围的那一刻,驱动器将加载相当高的电容,因此输入波形将呈现稳定状态,直到晶体管离开其线性范围。为了实现更快的切换,需要高驱动电流,这需要昂贵的驱动器。在宽带放大器电路中,米勒效应可以得到补偿,但在脉冲电路中则不可能。可能的是尽量减少外部输出到输入电容,由于晶体管外壳很小,输入和输出之间...

双极性结型晶体管的开关损耗

在从非导通截止状态到饱和导通状态的转变期间的BJT功率耗散。出现这些尖峰是因为BJT不能瞬间从非导通状态变为完全导通状态。在过渡过程中,大量的集电极电流流动,集电极到发射极的电压尚未稳定到其低饱和水平。因此,功耗相对较高。您可以在图6中看到这些电流-电压动态。橙色和红色曲线分别绘制了集电极电压和集电极电流;...

科学家设计新型纳米结构,有望打造基于纳米天线的光学纳米晶体管

因此，二次谐波信号/激发强度依赖性也存在时间相关性，在不同激光强度下的饱和时间约为几十秒。为了估算电场值、以及金属功函数和硅表面密度对于载流子浓度的影响，课题组利用漂移-扩散模型进行了理论研究，结果发现在低脉冲强度之下，二次谐波信号的主要贡献来自硅表面的缺陷，此时二次谐波信号对激发功率的依赖关系是二...

还不会设计晶体管施密特触发器?不要错过

这个时候,T1开始使T2缺乏基极电流,因此T2开始关闭,因此其发射极电压开始下降。但这会增加T1的基极-发射极电压,因此T1会更快地开启。正反馈使电路进入T1开启(并且设计为饱和)而T2关闭的状态,Vo现在靠近+V。最后,假设Vi开始回落到0,T1的发射极电压现在由其自身的发射极电流控制。当...

基础知识之晶体管

当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动(www.e993.com)2024年11月5日。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。晶体管的开关工作就像使用基极作为开关来打开和关闭从集电极流向发射极的电流。

一文搞懂IGBT

1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。04IGBT的主要参数1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大...

东海研究 | 深度:光刻机:国产设备发展任重道远,零组件企业或将...

主要原因为:1)公司不断拓展新业务,从最开始的光学晶体一直扩展至元器件领域,下游也从激光行业拓展至消费电子、汽车电子等领域;2)光学晶体领域护城河较高,市场维持稳定;3)公司最主要的下游之一激光行业近年来发展迅速,需求较大。公司的归母净利润近些年来表现相对平稳,短期也受到一定的行业冲击影响,但不改公司稳步发展...

半导体专题篇十五:功率半导体

(2)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)IGBT是一种介于MOSFET和普通双极型晶体管之间的功率半导体器件。它结合了双极型晶体管的高电压能力和MOSFET的低导通压降特性,具有导通压降低、开关速度快、饱和压降小等优点。IGBT在工业驱动、交流电机控制、电力变换等领域有着广泛的应用。

氮化镓技术,迎来新变局

彼时,欧美厂商也开始加大对垂直型GaN的探索,一些知名企业也在进入这一IP领域,例如2020年imec与根特大学合作,旨在开发半垂直和垂直GaN功率器件。与此同时,imec开发了一种共同集成垂直GaN功率二极管和晶体管的方法。自2019年以来,包括CEA在内的其他欧洲主要研究机构也恢复了该领域的知识产权活动。有法国研究组织一直与...